[發(fā)明專利]使用模塊化微波源的具有對稱且不規(guī)則的形狀的等離子體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211292228.3
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN115692156A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡泰正;法扎德·霍什曼德;克里斯汀·阿莫米諾;菲利普·艾倫·克勞斯
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種適于與等離子體處理腔室一起使用的微波源，包含：

介電體，所述介電體形成所述等離子體處理腔室的外壁的一部分，其中所述介電體包含第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及在所述第一表面與所述第二表面之間的第三表面；

施加器的陣列，其中每一施加器包含介電諧振腔和延伸至所述介電諧振腔中的通道的單極，并且其中每一施加器由所述第三表面支撐。

2.如權(quán)利要求1所述的微波源，其中所述通道位于所述介電諧振腔的軸向中心。

3.如權(quán)利要求1所述的微波源，其中所述施加器的陣列包含具有不一致的尺寸的施加器。

4.如權(quán)利要求1所述的微波源，其中所述施加器中的每一者的諧振是大致上一致的。

5.如權(quán)利要求1所述的微波源，其中所述介電諧振腔包含頂表面、外側(cè)壁表面和與所述頂表面相對的底表面；

并且其中所述施加器進一步包含：

施加器外殼，所述施加器外殼圍繞所述介電諧振腔的外側(cè)壁表面形成；并且

其中短接背板具有頂表面，所述頂表面至少部分面向所述介電諧振腔的頂表面，使得在所述短接背板與所述介電諧振腔之間限定空間，并且其中所述短接背板布置在所述施加器外殼的至少一部分周圍，并且被配置為沿著所述施加器外殼重新定位以改變所述短接背板的頂表面與所述介電諧振腔的頂表面之間的距離，以調(diào)整所述空間，由此改變所述施加器的阻抗。

6.如權(quán)利要求1所述的微波源，其中所述施加器中的每一者是可獨立控制的。

7.如權(quán)利要求1所述的微波源，進一步包含：

微波放大模塊的陣列，其中每一微波放大模塊包含主放大器，并且被耦接至在所述施加器的陣列中的所述施加器中的至少一者。

8.如權(quán)利要求7所述的微波源，進一步包含：

在所述等離子體處理腔室內(nèi)的多個等離子體傳感器，其中所述等離子體傳感器通信地耦接至所述微波放大模塊以提供反饋控制。

9.如權(quán)利要求8所述的微波源，其中針對每一微波放大模塊的反饋控制數(shù)據(jù)是由所述多個等離子體傳感器中的一或多個提供。

10.一種用于等離子體處理腔室的微波放大模塊的陣列，其中每一微波放大模塊包含：

電壓控制電路；

電壓控制振蕩器，其中來自所述電壓控制電路的輸出電壓驅(qū)動所述電壓控制振蕩器中的振蕩；和

固態(tài)微波放大模塊，所述固態(tài)微波放大模塊耦接至所述電壓控制振蕩器，其中所述固態(tài)微波放大模塊放大來自所述電壓控制振蕩器的輸出。

11.如權(quán)利要求10所述的微波放大模塊的陣列，其中每一微波放大模塊是可獨立控制的。

12.如權(quán)利要求10所述的微波放大模塊的陣列，其中個別微波放大模塊通信地耦接至所述等離子體處理腔室中的一或多個傳感器。

13.如權(quán)利要求12所述的微波放大模塊的陣列，其中針對每一微波放大模塊的反饋控制數(shù)據(jù)是由所述等離子體處理腔室中的一或多個傳感器提供。

14.如權(quán)利要求10所述的微波放大模塊的陣列，其中每一微波放大模塊進一步包含：

循環(huán)器。