[發明專利]一種光電薄膜退火方法和退火設備

在審

• 申請號: 202211292064.4
• 申請日: 2022-10-21
• 公開（公告）號: CN115458636A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 付超;石磊;張文君
• 申請（專利權）人: 杭州眾能光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/268;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光電薄膜退火方法，其特征在于，所述退火方法包括如下步驟：

S1控制退火設備各軸歸零，將形成薄膜需要退火的基片放置在設備基片臺上；

S2通過激光位移傳感器獲取激光光路終端與薄膜表面的絕對距離，并調節到合適的數值H1；

S3使用連續激光器通過特定光路對薄膜進行線性加熱，同步獲取加熱區域表面溫度信息；

S4根據表面溫度信息計算激光參數，使薄膜表面獲得需要的溫度T1；

S5對薄膜表面進行移動性加熱，直至完成基片表面薄膜的退火處理。

2.根據權利要求1所述的光電薄膜退火方法，其特征在于，所述激光位移傳感器感應位點與激光器加熱位點為同一位點。

3.根據權利要求1所述的光電薄膜退火方法，其特征在于，所述數值H1是根據需要一次性加熱的線性長度改變而改變的，線性長度100mm，數值H1為200~350mm。

4.根據權利要求1所述的光電薄膜退火方法，其特征在于，所述基片表面溫度T1是需要根據實驗數據和薄膜基本性質確定的，范圍100~500℃。

5.根據權利要求1所述的光電薄膜退火方法，其特征在于，所述移動性激光加熱的移動速度是根據獲取的加熱區域表面溫度信息而實時計算而得出的數據。

6.一種光電薄膜退火設備，其特征在于，用于采用如權利要求1-5任一項所述的光電薄膜退火方法對光電薄膜進行退火處理，所述半導體退火裝置包括：

基片臺（1），用于承載基片（2）；

基片夾具（4）設置于所述基片臺（1）上，用于基片的壓緊固定；

垂直軸（3）用于調節聚焦鏡（6）距離基片高度；

水平軸（7）用于調節基片臺（1）位置；

激光光線通過光路支架（8）、激光掃描反射鏡組（10）、聚焦鏡（6）將點狀平行光源轉換成線性聚焦光源照射到目標基片（2）上表面；

激光距離傳感器（5）設置于所述聚焦鏡（6）兩側，數量為2個，用于檢測距離基片（2）的距離；

溫度傳感器（9）設置于光路支架（8）下方，傾斜一定的角度使其溫度檢測位點為激光加熱位點；

控制系統，用于收集溫度數據、距離數據、當前運行數據，根據用戶設定的參數輸出數據控制所述退火設備完成光電薄膜退火。

7.根據權利要求6所述的光電薄膜退火設備，其特征在于，所述水平軸（7）包括X、Y、R三個方向運動功能。

8.根據權利要求6所述的光電薄膜退火設備，其特征在于，所述激光距離傳感器（5）和所述聚焦鏡（6）相對位置始終固定不變。