[發明專利]一種穩定氣流場的抽氣裝置及LPCVD管式反應器在審
| 申請號: | 202211279704.8 | 申請日: | 2022-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN115652281A | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發明(設計)人: | 李種玉;張生利;王永謙;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京市天元律師事務所 16010 | 代理人: | 夏智海 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 穩定 氣流 裝置 lpcvd 反應器 | ||
1.一種穩定氣流場的抽氣裝置,應用在LPCVD管式反應器上,LPCVD管式反應器內設有工藝區,其特征在于,所述抽氣裝置包括主抽氣部和至少一個次抽氣部;
所述主抽氣部位于工藝區的一端,所述至少一個次抽氣部位于工藝區的另一端。
2.根據權利要求1所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述次抽氣部包括插入所述LPCVD管式反應器內的次抽氣管;所述抽氣管連接有負壓源。
3.根據權利要求2所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述負壓源為泵體或所述主抽氣部的負壓管路。
4.根據權利要求3所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述次抽氣管與泵體或所述負壓管路之間設有可調開度的控制閥。
5.根據權利要求3所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述泵體抽速可調。
6.根據權利要求2所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述次抽氣管由所述LPCVD管式反應器的尾部插入LPCVD管式反應器內。
7.根據權利要求1所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述LPCVD管式反應器設有用于將爐蓋和爐身連接密封的的連接結構;
所述連接結構設有內部孔道,所述內部孔道設有與所述LPCVD管式反應器內連通的氣口;
所述次抽氣部包括位于LPCVD管式反應器外的次抽氣管,所述次抽氣管的一端與所述內部孔道連通,另一端連接有負壓源。
8.根據權利要求1所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述主抽氣部包括主抽氣管,所述主抽氣管穿過所述LPCVD管式反應器的尾部延伸至首端。
9.根據權利要求8所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述次抽氣部為設置在所述主抽氣管上的至少一個開孔。
10.根據權利要求9所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述主抽氣管與所述LPCVD管式反應器的首端端蓋的距離為5cm-60cm。
11.根據權利要求1-10中任一項所述的穩定氣流場的抽氣裝置,其特征在于,所述次抽氣部的抽氣量為LPCVD管式反應器的總抽氣量的5%-40%。
12.一種LPCVD管式反應器,其特征在于,包括如權利要求1-11中任一項所述的穩定氣流場的抽氣裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





