[發(fā)明專利]外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)及調(diào)制圓偏振光反射強度的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211277533.5
• 申請日: 2022-10-19
• 公開（公告）號: CN115586598A
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 陳樹琪;趙茜;李占成;劉文瑋;程化;田建國
• 申請（專利權(quán)）人: 南開大學
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 程曉

1.一種外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，由多個基體結(jié)構(gòu)單元組成，其特征在于，所述基體結(jié)構(gòu)單元包括：第一金屬層(100)；設置于所述第一金屬層(100)上的電介質(zhì)層(200)；以及設置于所述電介質(zhì)層(200)上的第二金屬層(300)；

所述第二金屬層(300)包括：第一棒體(310)和第二棒體(320)，所述第一棒體(310)和所述第二棒體(320)分別沿所述電介質(zhì)層(200)的表面延伸，所述第一棒體(310)與所述第二棒體(320)間隔設置，且所述第一棒體(310)的延伸方向與所述第二棒體(320)的延伸方向垂直。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基體結(jié)構(gòu)單元作為灰度圖像的像素點，具有灰度差的兩個像素點所設有的所述第一棒體(310)長度尺寸具有差值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一棒體(310)的長度尺寸為400nm～520nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層(100)的厚度為90nm～100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電介質(zhì)層(200)的厚度為100nm～160nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一棒體(310)和所述第二棒體(320)的厚度皆為20nm～40nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一棒體(310)的寬度為60nm～80nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二棒體(320)的寬度為65nm～85nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二棒體(320)的長度為150nm～200nm。

10.一種調(diào)制圓偏振光反射強度的方法，其特征在于，該方法采用權(quán)利要求1-9任一項所述的外在手性超構(gòu)表面結(jié)構(gòu)，且包括以下步驟：

定義第一棒體(310)的延伸方向為x軸方向，第二棒體(320)的延伸方向為y軸方向；

多個基體結(jié)構(gòu)單元分別沿x軸和y軸陣列；

在左旋圓偏振光或右旋圓偏振光傾斜入射條件下，改變各基體結(jié)構(gòu)單元中第一棒體(310)的長度尺寸，以調(diào)制特定旋性圓偏振光的反射強度；

其中，入射光的方向與x軸夾角為45°，入射光的方向與z軸夾角為45°。