[發明專利]一種芯片封裝結構及芯片封裝方法

有效

• 申請號: 202211276864.7
• 申請日: 2022-10-19
• 公開（公告）號: CN115360166B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 楊國江;高軍明;于世珩
• 申請（專利權）人: 江蘇長晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/31
• 代理公司: 南京華訊知識產權代理事務所(普通合伙) 32413
• 代理人: 仝東鳳

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括：

芯片，所述芯片包括相對的第一表面和第二表面；

多個芯片電極，設置于所述芯片的第一表面之下；

鈍化層，設置在芯片的第一表面之上，且鈍化層在每一所述芯片電極之上對應形成鈍化層開口；

多個凸塊，設置于所述鈍化層之上，通過所述鈍化層開口與所述芯片電極連接；

金屬層，設置于所述芯片的第二表面上；

金屬線連線，設有第一端和第二端，其中，所述第一端和所述第二端分別與所述金屬層的兩端連接，用于傳輸所述芯片的電信號。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

第一保護層，設置于所述芯片的第二表面，覆蓋所述金屬層和所述金屬線連線。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層完全覆蓋所述第二表面設置，或，所述金屬層設置在所述第二表面上與所述芯片電極對應的區域中。

4.根據權利要求1-3任一所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層至少包括一層子金屬層，每一所述子金屬層的成分為Al、Ti、W、Cu、Ni、V、Ag、Au，或者它們中任兩種以上的組合。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬線連線至少包括一層，每一層的成分為Cu、Ag、Au、Al、Pd，或者它們中任兩種以上的組合。

6.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

再布線層，設置于所述芯片的第一表面之上并連接所述芯片，用于實現所述芯片與外部的連接。

7.一種芯片封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

提供一芯片，所述芯片具有相對的第一表面和第二表面；

在所述芯片中形成多個芯片電極；

在所述芯片電極之上沉積形成鈍化層，刻蝕所述鈍化層，在每一所述芯片電極之上對應形成鈍化層開口；

在每一鈍化層開口處對應形成多個凸塊，每一凸塊通過所述鈍化層開口與所述芯片電極連接；

在所述芯片的第二表面形成金屬層；

在所述金屬層兩端通過打線的方式，形成金屬線連線，并使所述金屬線連線的第一端和第二端分別與所述金屬層的兩端連接，所述金屬線連線用于傳輸所述芯片的電信號。

8.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述芯片的第二表面上沉積形成第一保護層，覆蓋所述金屬層和所述金屬線連線。

9.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，在所述芯片的第二表面形成金屬層包括：

在所述芯片的第二表面形成金屬層，或，

在所述芯片的第二表面經沉積形成第二保護層，刻蝕所述第二保護層，以暴露出與所述芯片電極對應的區域，在所述暴露出的區域中形成金屬層。

10.根據權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述芯片的第二表面形成金屬層，包括：

通過沉積法，或電鍍法在所述芯片的第二表面形成金屬層。