[發明專利]一種陣列基板的制備方法以及陣列基板

有效

• 申請號: 202211276529.7
• 申請日: 2022-10-19
• 公開（公告）號: CN115360142B
• 公開（公告）日: 2023-02-07
• 發明（設計）人: 柳奇;張寧;楊凱祥;李珊
• 申請（專利權）人: 廣州華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本申請實施例公開了一種陣列基板的制備方法以及陣列基板，陣列基板的制備方法包括以下制備步驟：提供一基板；在基板上制備一層金屬材料，圖案化金屬材料形成第一金屬層；在基板上制備第一絕緣層；在第一絕緣層上制備半導體層；在第一絕緣層和半導體層上制備一層疊層金屬材料，疊層金屬材料包括第一金屬材料和第二金屬材料；在疊層金屬材料上制備一層光阻層，圖案化光阻層形成第一光阻單元和第二光阻單元；刻蝕第二金屬材料；加熱第一光阻單元和第二光阻單元直至第一光阻單元和第二光阻單元部分融化，第一光阻單元和第二光阻單元覆蓋剩余第二金屬材料的側壁；刻蝕第一金屬材料；去除第一光阻單元二和第二光阻單元。

技術領域

本申請涉及顯示領域，具體涉及一種陣列基板的制備方法以及陣列基板。

背景技術

目前，50UHD(超高清)溝道實做值AEI（After Etch Interval，刻蝕后檢測） 為4.5～5.0μm寬度，無法滿足50UHD電源產品充電率≥90%需求。TFT Channel length（溝道長度）從4.5μm縮減至3.5μm，在實現M2金屬減薄（5500→4000）Cost down（降低成本）的同時，確保TFT Ion（開態電流）提升23%，滿足50UHD 電源產品充電率達到90%需求。

USC TFT器件技術開發，M2 Wet Etch 為防止工藝波動導致第二金屬材料（銅、鋁）和第一金屬材料（鉬鈦、鉬）殘留，過量刻蝕超過25%，同時因為第二金屬材料刻蝕速率快，第一金屬材料刻蝕速率慢，第一金屬層刻蝕總時間遠大于只刻蝕完第二金屬材料（Cu、Al）所需時間，導致第一金屬層刻蝕量偏大，溝道長度過大。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板的制備方法以及陣列基板，可以解決現有技術中陣列基板的溝道過長的技術問題。

本申請實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下制備步驟：

提供一基板；

在所述基板上制備第一金屬層；

在所述基板上制備第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一金屬層；

在所述第一絕緣層上制備一層半導體材料，圖案化所述半導體材料形成半導體層，所述半導體層對應設于所述第一金屬層上方；

在所述第一絕緣層和所述半導體層上制備一層疊層金屬材料，所述疊層金屬材料包括第一金屬材料和第二金屬材料；

在所述疊層金屬材料上制備一層光阻層，圖案化所述光阻層形成第一光阻單元和第二光阻單元，所述第一光阻單元和所述第二光阻單元間隔設置且分別對應所述半導體層的相對兩端；

刻蝕裸露于所述第一光阻單元和所述第二光阻單元外的所述第二金屬材料；

加熱所述第一光阻單元和所述第二光阻單元直至所述第一光阻單元和所述第二光阻單元部分融化，所述第一光阻單元和所述第二光阻單元覆蓋剩余第二金屬材料的側壁；

刻蝕裸露于所述第一光阻單元和所述第二光阻單元外的所述第一金屬材料；

去除所述第一光阻單元二和所述第二光阻單元。

可選的，在本申請的一些實施例中，通過烘箱加熱所述第一光阻單元和所述第二光阻單元，所述烘箱的加熱溫度為150°～250°，加熱時間為1min～10min。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一金屬材料為鉬、鈦、鉬鈦合金中的至少一種。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一金屬層材料的厚度為100～500埃，所述第二金屬層材料的厚度為4000～6000埃。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二金屬材料為銅、銀、金、鋁中的至少一種。