[發(fā)明專利]一種圖像傳感器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211273691.3 | 申請日: | 2022-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN115579372A | 公開(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 夏小峰;范春暉;李巖 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥海圖微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海漢之律師事務所 31378 | 代理人: | 陳強 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市高新區(qū)望*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,至少包括:
邏輯基板,所述邏輯基板中設置有邏輯電路集成單元;
金屬互連結(jié)構(gòu),設置在所述邏輯基板上,且所述金屬互連層結(jié)構(gòu)包括多個金屬層;
外延層,覆蓋在所述金屬互連結(jié)構(gòu)上;
多個像素結(jié)構(gòu),設置在所述外延層中;
多個隔離結(jié)構(gòu),設置在相鄰的所述像素結(jié)構(gòu)之間;
導電栓塞,連接于所述隔離結(jié)構(gòu),所述導電栓塞的一端貫穿所述外延層與所述金屬層連接;以及
過孔連接件,穿過所述金屬互連結(jié)構(gòu)和所述外延層,與所述邏輯電路集成單元連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述外延層上設置有介質(zhì)層,且所述導電栓塞連接于所述介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述介質(zhì)層上設置有掩膜層,所述掩膜層與所述過孔連接件連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)包括感光區(qū),所述感光區(qū)設置在所述外延層中,且所述感光區(qū)位設置于相鄰的所述隔離結(jié)構(gòu)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)包括格柵層,所述格柵層設置在所述介質(zhì)層上,所述格柵層與所述掩膜層相鄰,且所述格柵層連接于所述掩膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)包括透光通道,所述透光通道設置在所述格柵層上,且所述透光通道與所述感光區(qū)對應。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器包括電性連接件,所述電性連接件的一端連接于所述金屬層,另一端通過引線伸出所述圖像傳感器的外部。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述外延層和所述介質(zhì)層之間、所述隔離結(jié)構(gòu)和所述外延層之間設置有堆疊層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種圖像傳感器,其特征在于,所述堆疊層包括:
介質(zhì)薄膜,設置在所述外延層的表面上;
高介電薄膜,覆蓋在所述介質(zhì)薄膜上;以及
抗反射薄膜,覆蓋在所述高介電薄膜上。
10.一種圖像傳感器的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一邏輯基板,所述邏輯基板上設置有邏輯電路集成單元;
于所述邏輯基板上設置金屬互連結(jié)構(gòu),所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括多個金屬層;
于所述金屬互連結(jié)構(gòu)上設置外延層,且所述外延層覆蓋所述金屬互連結(jié)構(gòu);
于所述外延層中設置多個像素結(jié)構(gòu);
于所述外延層上設置多個隔離結(jié)構(gòu),其中所述隔離結(jié)構(gòu)設置在相鄰的所述像素結(jié)構(gòu)之間;
于所述外延層上設置導電栓塞,所述導電栓塞的一端貫穿所述外延層與所述金屬層連接;以及
設置過孔連接件,其中所述過孔連接件穿過所述金屬互連結(jié)構(gòu)和所述外延層,與所述邏輯電路集成單元連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





