[發(fā)明專利]一種無氟環(huán)保彎曲不敏感單模光纖

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211272038.5
• 申請(qǐng)日: 2022-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN115508942A
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹景飛;孫洋;王昱皓;王盛偉;李偉;馬銀浩;吳天存
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 威海長和光導(dǎo)科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/02
• 分類號(hào): G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036
• 代理公司: 威海恒譽(yù)潤達(dá)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37260
• 代理人: 龍軍波

本發(fā)明公開了一種無氟環(huán)保彎曲不敏感單模光纖，其屬于光纖通信技術(shù)領(lǐng)域；本發(fā)明包括由內(nèi)至外依次排列的芯層和外包層，芯層包括第一內(nèi)陷芯層和第二突起芯層，第二突起芯層設(shè)置在第一內(nèi)陷芯層的外側(cè)，外包層設(shè)有二氧化硅外包層，芯層折射率高于外包層的折射率，且芯層的折射率剖面呈階躍型分布，第一內(nèi)陷芯層的相對(duì)折射率差ΔN1小于第二突起芯層的相對(duì)折射率差ΔN2。本發(fā)明通過對(duì)光纖折射率剖面的重新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無氟狀態(tài)下仍能符合標(biāo)準(zhǔn)的彎曲不敏感光纖，滿足G.657.A2標(biāo)準(zhǔn)要求，由此解決現(xiàn)有技術(shù)采用外包氟層降低彎曲損耗，不能滿足安全環(huán)保的技術(shù)問題，結(jié)構(gòu)簡單，性能優(yōu)異。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及無氟環(huán)保彎曲不敏感單模光纖。

背景技術(shù)

隨著5G時(shí)代的來臨，互聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的部分，光纖入戶的概念也受到大量關(guān)注，為了應(yīng)對(duì)復(fù)雜的房間、街道、樓宇等應(yīng)用場景，走好光纖網(wǎng)絡(luò)鋪設(shè)的最后一公里，彎曲不敏感光纖的研發(fā)也受到重視。

現(xiàn)階段，市面上通常采用外包氟層的方法來降低光纖的宏彎損耗，通過摻氟實(shí)現(xiàn)包層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)下陷，增加芯包折射率差，能夠有效增加光纖的彎曲性能。但是，在光纖預(yù)制棒的生產(chǎn)過程中，由于CF4、SF6、CCl2F2等氟化劑的使用，會(huì)產(chǎn)生大量有害的氟化物，危害人身健康和自然環(huán)境，所以在光纖制備的過程中要盡量避免氟化劑的使用。

為保護(hù)生態(tài)環(huán)境和人身健康，避免氟化劑的使用，本發(fā)明對(duì)彎曲不敏感光纖進(jìn)行改進(jìn)設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷和改進(jìn)需求，提供一種無氟環(huán)保彎曲不敏感單模光纖，其目的在于通過光纖折射率剖面的重新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無氟狀態(tài)下仍能符合標(biāo)準(zhǔn)的彎曲不敏感光纖，滿足G.657.A2標(biāo)準(zhǔn)要求，由此解決現(xiàn)有技術(shù)采用外包氟層降低彎曲損耗，不能滿足安全環(huán)保的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，為此本發(fā)明包括由內(nèi)至外依次排列的芯層和外包層，芯層包括第一內(nèi)陷芯層和第二突起芯層，第二突起芯層設(shè)置在第一內(nèi)陷芯層的外側(cè)，外包層設(shè)有二氧化硅外包層，芯層折射率高于外包層的折射率，且芯層的折射率剖面呈階躍型分布，第一內(nèi)陷芯層的相對(duì)折射率差ΔN1小于第二突起芯層的相對(duì)折射率差ΔN2，第二突起芯層與第一內(nèi)陷芯層的厚度之比為1.3-2.5。

優(yōu)選的，第一內(nèi)陷芯層的折射率呈下凹平面分布，第二突起芯層折射率呈線性升高分布。

優(yōu)選的，第一內(nèi)陷芯層的相對(duì)折射率差ΔN1為0.31％-0.38％，第一內(nèi)陷芯層的直徑d1為4.5-7.5μm。

優(yōu)選的，第二突起芯層的相對(duì)折射率差ΔN2為0.40％-0.48％，第二突起芯層的直徑d2為7.5-8.5μm。

優(yōu)選的，第一內(nèi)陷芯層與第二突起芯層折射率差呈斜面上升，第二突起芯層與外包層的折射率差呈階躍型分布。

優(yōu)選的，芯層和外包層均不摻雜氟化物，且外包層為純二氧化硅玻璃層。

優(yōu)選的，外包層的直徑為124-126μm。

優(yōu)選的，成品光纖在1310nm波長下的模場直徑為8.2-8.8μm，成纜截止波長≤1260nm，零色散波長1300～1324nm。

優(yōu)選的，光纖在波長1310nm處的衰減損耗小于或等于0.340dB/km，光纖在波長1383nm處的衰減損耗小于或等于0.285dB/km，在波長1550nm處的衰減損耗小于或等于0.197dB/km，在波長1625nm處的衰減損耗小于或等于0.214dB/km；

優(yōu)選的，光纖在R15mm-10圈的1550nm窗口宏彎損耗小于或等于0.02dB，1625nm窗口宏彎損耗小于或等于0.05dB；在R10mm-1圈1550nm窗口宏彎損耗小于或等于0.05dB，1625nm窗口宏彎損耗小于等于0.15dB；在R7.5mm-1圈1550nm窗口宏彎損耗小于或等于0.4dB，1625nm窗口宏彎損耗小于或等于0.9dB。