[發(fā)明專利]石墨烯發(fā)熱膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211268619.1
• 申請日: 2022-10-17
• 公開（公告）號: CN115623617A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明;潘卓成;潘智軍
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司
• 主分類號: H05B3/03
• 分類號: H05B3/03;H05B3/02;H05B3/14;H05B3/34
• 代理公司: 北京世衡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11686
• 代理人: 張超艷

1.一種石墨烯發(fā)熱膜的制備方法，其特征在于，包括：

通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化，轉(zhuǎn)化為石墨烯導(dǎo)電膜，得到表面具有石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺膜；

在上述表面具有石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺膜的石墨烯導(dǎo)電膜上印刷電極；

對印刷電極后的表面具有石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺膜進行封裝，得到石墨烯發(fā)熱膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化的步驟之前還包括：

設(shè)定石墨烯導(dǎo)電膜的尺寸、方阻和電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述設(shè)定石墨烯導(dǎo)電膜的尺寸、方阻和電路的步驟包括：

根據(jù)石墨烯發(fā)熱膜輸入電壓、發(fā)熱尺寸和發(fā)熱溫度要求設(shè)定電路、石墨烯導(dǎo)電膜的尺寸和方阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化的步驟中，采用具有雙聚集棱鏡，激光波長10.6微米，激光光斑直徑38微米的二氧化碳激光器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化的步驟中，激光的功率為10-30W，激光的掃描速度為500-2500mm/s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化的步驟中，所述聚酰亞胺膜的厚度為50-75微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過激光照射使得聚酰亞胺膜表面碳化和石墨化的步驟中，所述石墨烯導(dǎo)電膜的方阻為5-100Ω/□；

優(yōu)選地，通過調(diào)控激光的功率和掃描速度，控制石墨烯導(dǎo)電膜的方阻，功率越高，掃描速度越低，方阻越小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在上述表面具有石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺膜的石墨烯導(dǎo)電膜上印刷電極的步驟包括：

使用導(dǎo)電漿料在石墨烯導(dǎo)電膜表面印刷電極，進行烘干，優(yōu)選地，通過烘箱烘干；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電漿料為導(dǎo)電銀漿或?qū)щ娿~漿；

優(yōu)選地，所述電極的厚度為10-30微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對印刷電極后的表面具有石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺膜進行封裝，得到石墨烯發(fā)熱膜的步驟包括：

將印刷電極的石墨烯導(dǎo)電膜表面覆蓋封裝材料，真空熱壓,得到石墨烯發(fā)熱膜；

優(yōu)選地，所述封裝材料為表面帶TPU熱熔膠膜的聚酰亞胺薄膜或者TPU熱熔膠膜；

優(yōu)選地，所述封裝材料的厚度為15微米-50微米。

10.一種石墨烯發(fā)熱膜，其特征在于，通過權(quán)利要求1-9中任一所述的制備方法制備；

優(yōu)選地，所述石墨烯發(fā)熱膜依次包括封裝層、電極層和表面帶石墨烯導(dǎo)電膜的聚酰亞胺薄膜三層結(jié)構(gòu)；

優(yōu)選地，所述石墨烯發(fā)熱膜的厚度為75-155微米。