[發明專利]半導體存儲器裝置和操作半導體存儲器裝置的方法

在審

• 申請號: 202211267255.5
• 申請日: 2022-10-17
• 公開（公告）號: CN115995250A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發明（設計）人: 張晉熏;金經綸
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張川緒;方成

提供半導體存儲器裝置和操作半導體存儲器裝置的方法。所述半導體存儲器裝置包括存儲器單元陣列以及多個數據輸入/輸出(I/O)引腳。所述多個數據I/O引腳被配置為接收將被存儲在存儲器單元陣列中的寫入數據或輸出存儲在存儲器單元陣列中的讀取數據。所述半導體存儲器裝置被配置為執行突發操作，在突發操作中，基于從外部存儲器控制器接收的單個命令，包括多個數據位的單個數據集通過所述多個數據I/O引腳而被輸入或輸出。所述多個數據I/O引腳的數量對應于不是二的乘方的整數。表示突發操作的單位的突發長度對應于不是二的乘方的整數。

本申請要求于2021年10月20日提交到韓國知識產權局(KIPO)的第10-2021-0140424號韓國專利申請的優先權和于2022年3月31日提交到韓國知識產權局(KIPO)的第10-2022-0040041號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。

技術領域

示例實施例總體涉及半導體集成電路，并更具體地涉及半導體存儲器裝置和操作半導體存儲器裝置的方法。

背景技術

半導體存儲器裝置可被分類為非易失性存儲器裝置(諸如，閃存)和易失性存儲器裝置(諸如，動態隨機存取存儲器(DRAM))。易失性存儲器裝置的高速操作和成本效益使易失性存儲器裝置被用于系統存儲器是可行的。

最近，半導體存儲器裝置的集成度和容量正在增大，并且數據傳送速率也正在增大。因而，針對每個存儲器存取傳送的位的總數量可增加，并且附加的輸入/輸出(I/O)引腳或線路和對應的模塊/板信號跡線和連接器引腳可被需要。然而，附加的I/O引腳可增大總存儲器裝置成本。因此，在不過度增加I/O引腳的數量的情況下，用于發送更多個位的技術已經被研究。

發明內容

在不過度增大成本的情況下，本公開的至少一個示例實施例提供一種能夠提高或增強帶寬和信號完整性特性的半導體存儲器裝置。

本公開的至少一個示例實施例提供一種操作半導體存儲器裝置的方法。

根據示例實施例，一種半導體存儲器裝置包括存儲器單元陣列以及多個數據輸入/輸出(I/O)引腳。所述多個數據I/O引腳被配置為接收將被存儲在存儲器單元陣列中的寫入數據或輸出存儲在存儲器單元陣列中的讀取數據。半導體存儲器裝置被配置為執行突發操作，在突發操作中，基于從外部存儲器控制器接收的單個命令，包括多個數據位的單個數據集通過所述多個數據I/O引腳而被輸入或輸出。所述多個數據I/O引腳的數量對應于不是二的乘方的整數。表示突發操作的單位的突發長度對應于不是二的乘方的整數。

根據示例實施例，一種操作半導體存儲器裝置的方法包括接收寫入命令或讀取命令。所述方法包括執行以下操作中的至少一個：寫入數據被存儲在存儲器單元陣列中的數據寫入操作；或存儲在存儲器單元陣列中的讀取數據從存儲器單元陣列被取得的數據讀取操作，其中，執行的步驟基于寫入命令或讀取命令。在數據寫入操作期間，寫入數據通過多個數據輸入/輸出(I/O)引腳而被接收。在數據讀取操作期間，讀取數據通過所述多個數據輸入/輸出(I/O)引腳而被輸出。接收寫入數據的操作和/或輸出讀取數據的操作基于突發操作而被執行，在突發操作中，基于從外部存儲器控制器接收的單個命令，包括多個數據位的單個數據集通過所述多個數據I/O引腳而被輸入或輸出。所述多個數據I/O引腳的數量對應于不是二的乘方的整數。表示突發操作的單位的突發長度對應于不是二的乘方的整數。