[發明專利]一種高阻尼鎂合金的制備方法有效
| 申請號： | 202211265931.5 | 申請日： | 2022-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN115595520B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發明（設計）人： | 游志勇;高晶磊;蔣傲雪 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | C22F1/06 | 分類號： | C22F1/06;C22C23/00 |
| 代理公司： | 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901 | 代理人： | 張焱 |
| 地址： | 030024 山西*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 阻尼 鎂合金 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高阻尼鎂合金的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：對鎂合金進行固溶、時效處理，之后進行ECAP變形處理，得到所述高阻尼鎂合金；
所述固溶處理的溫度與所述ECAP變形處理的溫度相同；
所述時效處理為長時效處理，具體為在175℃下保溫48h；
所述ECAP變形處理為在345℃下進行2道次擠壓，每道次擠壓的方法為：先用直桿擠壓，卸壓后換斜桿繼續以相同的擠壓速度擠壓，直至合金被完整擠出；
所述鎂合金為ZA63鎂合金；
所述固溶處理具體為在345℃下保溫40h。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，一道次擠壓完成進行二道次擠壓前將鎂合金逆時針旋轉90°。
3.一種根據權利要求1～2任一項所述的制備方法制備得到的高阻尼鎂合金。
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