[發(fā)明專利]一種微流控芯片及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211261579.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115646563A | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛志雄;吳三喜;陳皇佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州迪澳醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00;C12M1/34;C12M1/00;C12Q1/686 |
| 代理公司: | 廣州博聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44663 | 代理人: | 梁志標(biāo) |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微流控 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種微流控芯片的制備方法,其用于制備能夠在核酸擴(kuò)增檢測(cè)過(guò)程中防止擴(kuò)增產(chǎn)物交叉污染的微流控芯片,其特征在于,包括如下步驟:
將微流控芯片分為第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域和第四區(qū)域,使得液相樣品能夠注入微流控芯片的第一區(qū)域中,油相能夠注入微流控芯片的第二區(qū)域中,其中:
在以第一設(shè)定轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)微流控芯片的情況下,所述液相樣品能夠進(jìn)入微流控芯片的第三區(qū)域;
在以第二設(shè)定轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)微流控芯片的情況下,所述液相樣品能夠進(jìn)入微流控芯片的第四區(qū)域,并且所述油相能夠由所述第二區(qū)域移動(dòng)至所述第三區(qū)域;
在向所述微流控芯片注入高壓氣體的情況下,第三區(qū)域中的主流道隔斷,達(dá)到對(duì)第四區(qū)域中檢測(cè)孔與檢測(cè)孔之間的物理隔絕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述微流控芯片包括彼此堆疊的氣路層(1)、氣閥層(2)和流路層(3),所述第一區(qū)域由設(shè)置于所述流路層(3)上的樣品池(3a)限定,所述第二區(qū)域由設(shè)置于所述流路層(3)上的密封液池(3b)限定,其中,所述樣品池(3a)和所述密封液池(3b)彼此連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述第三區(qū)域由設(shè)置于所述流路層(3)上的主流道(3c)和若干個(gè)緩沖池(3d)限定,其中,所述若干個(gè)緩沖池(3d)經(jīng)所述主流道(3c)與所述樣品池(3a)連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述第四區(qū)域由設(shè)置于所述流路層(3)上的若干個(gè)S型分流道(3e)和若干個(gè)檢測(cè)池(3f)限定,其中,所述檢測(cè)池(3f)經(jīng)所述S型分流道(3e)與所述緩沖池(3d)連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述氣閥層(2)由彈性體薄膜制成,所述氣路層(1)上設(shè)置有氣閥腔(6),所述氣閥腔(6)能夠與所述主流道(3c)重合對(duì)齊,其中,在高壓氣體進(jìn)入所述氣閥腔(6)的情況下,所述氣閥層(2)能夠產(chǎn)生彈性變形以對(duì)所述主流道(3c)進(jìn)行阻斷,所述氣路層(1)上設(shè)置有進(jìn)氣口(4)和進(jìn)氣通道(5),所述進(jìn)氣口(4)經(jīng)所述進(jìn)氣通道(5)與所述氣閥腔(6)連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述緩沖池(3d)、所述檢測(cè)池(3f)和所述S型分流道(3e)均能夠沿流路層(3)的周向間隔布置,其中,樣品池(3a)與流路層(3)的圓心之間的第一距離能夠等于密封液池(3b)與流路層(3)的圓心之間的第二距離,主流道(3c)與流路層(3)的圓心之間的第三距離大于所述第一距離,緩沖池(3d)與流路層(3)的圓心之間的第四距離大于所述第三距離,S型分流道(3e)與流路層(3)的圓心之間的第五距離大于所述第四距離,檢測(cè)池(3f)與流路層(3)的圓心之間的第六距離大于所述第五距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述氣路層(1)上設(shè)置有樣品池腔(10)和密封液腔(11),所述氣閥層(2)上設(shè)置有第一開口(12)和第二開口(13),在氣路層(1)、氣閥層(2)和流路層(3)彼此堆疊的情況下,所述樣品池腔(10)、所述第一開口(12)和所述樣品池(3a)能夠重合對(duì)齊,所述密封液腔(11)、所述第二開口(13)和所述密封液池(3b)能夠重合對(duì)齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微流控芯片的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括如下步驟:
使用定制工裝將氣閥層(2)與氣路層(1)對(duì)位預(yù)貼合;
設(shè)置熱鍵合機(jī)參數(shù);
將預(yù)貼合部件置于真空熱壓機(jī)進(jìn)行鍵合得到半成品;
對(duì)流路層(3)進(jìn)行表面修飾前處理以改變表面親水性提高流路層與半成品的鍵合強(qiáng)度;
將引物預(yù)埋到檢測(cè)池(3f)中;
使用定制對(duì)位工裝將流路層(3)與半成品對(duì)位預(yù)貼合;
將上步驟的預(yù)貼合部件置于真空熱壓機(jī)進(jìn)行鍵合得到成品。
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