[發(fā)明專利]系列堿土金屬硫?qū)伲ㄎ鴮伲┗衔锛捌浞蔷€性光學(xué)晶體及其制備方法及其用途在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211258128.9 | 申請日： | 2022-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN115433998A | 公開（公告）日： | 2022-12-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 俞洪偉;張星宇;吳紅萍;胡章貴 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津理工大學(xué) |
| 主分類號： | C30B1/10 | 分類號： | C30B1/10;C30B9/12;C30B11/00;C30B29/46;G02F1/35;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39 |
| 代理公司： | 北京東方盛凡知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11562 | 代理人： | 張鸞 |
| 地址： | 300384 *** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 系列 堿土金屬 硒屬 化合物 及其 非線性 光學(xué) 晶體 制備 方法 用途 | ||
1.系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)化合物，分子式分別為BaHgSiS4、SrHgSiS4、BaHgGeS4、SrHgGeS4、SrCdSiSe4，分子量為444.55-543.95。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)化合物的制備方法，其特征在于按以下步驟進行：在水含量和氧氣含量為0.01-0.1ppm的氣密容器為充有惰性氣體氬氣的手套箱內(nèi)將AE＝Sr，Ba化合物中元素AE、含Ⅱ＝Cd，Hg化合物中元素Ⅱ、含IV＝Si，Ge化合物中元素IV和含Q＝S，Se化合物中元素Q的摩爾比為0.9-1.2：0.9-1.2：0.9-1.3：4-5.5的混合物研磨后放入干凈的石墨坩堝中，裝入密閉的反應(yīng)容器中，將裝有原料的密閉反應(yīng)容器抽真空后封口，放入馬弗爐中，煅燒后冷卻至室溫；取出樣品放入研缽中搗碎并研磨，即得到系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)化合物多晶粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)化合物的制備方法，其特征在于：
所述含Sr，Ba化合物包括鍶單質(zhì)以及硫化鍶中的至少一種，鋇單質(zhì)及硫化鋇中的一種；
所述含鍺化合物為鍺單質(zhì)及鍺鹽中的至少一種；鍺鹽包括一硫化鍺及二硫化鍺中的至少一種；
所述含硅化合物為硅單質(zhì)；
所述含鎘化合物為鎘單質(zhì)及硒化鎘中的至少一種；
所述含汞化合物為汞單質(zhì)及硫化亞汞中的至少一種；
所述含S，Se化合物包括硫單質(zhì)，硒單質(zhì)及硫?qū)倩衔镏械闹辽僖环N；硫?qū)倩衔锇蚧J、硫化鋇，硒化鍶、硒化鎘、一硫化鍺、二硫化鍺及硫化亞汞中的至少一種。
4.系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)非線性光學(xué)晶體，其特征在于該系列晶體分子通式均為AEⅡIVQ4，其中AE＝Sr，Ba；Ⅱ＝Cd，Hg；IV＝Si，Ge；Q＝S，Se，化學(xué)式分別為BaHgSiS4、SrHgSiS4、BaHgGeS4、SrHgGeS4、SrCdSiSe4，不具有對稱中心，正交晶系，空間群Ama2，晶胞參數(shù)為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，單胞體積
5.權(quán)利要求4所述的系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)非線性光學(xué)晶體的制備方法，其特征在于，采用高溫熔液法或者布里奇曼法(坩堝下降法)生長系列堿土金屬硫?qū)?硒屬)非線性光學(xué)晶體。
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