[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造裝置用部件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211257466.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116504707A | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 井上靖也;久野達(dá)也;吉田信也;長(zhǎng)江智毅;小木曾裕佑;要藤拓也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本礙子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 制造 裝置 部件 | ||
1.一種半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,具備:
陶瓷板,該陶瓷板在上表面具有晶片載放面;
多孔質(zhì)插塞,該多孔質(zhì)插塞配置于沿著上下方向貫穿所述陶瓷板的插塞插入孔,且容許氣體流通;
絕緣蓋,該絕緣蓋設(shè)置成與所述多孔質(zhì)插塞的上表面接觸,且在所述晶片載放面露出;以及
多個(gè)細(xì)孔,該多個(gè)細(xì)孔沿著上下方向貫穿所述絕緣蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述絕緣蓋為噴鍍膜或陶瓷塊體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述晶片載放面具有對(duì)晶片進(jìn)行支撐的大量小突起,
所述絕緣蓋的上表面位于與所述晶片載放面的未設(shè)置所述小突起的基準(zhǔn)面相同的高度,
所述細(xì)孔的上下方向上的長(zhǎng)度為0.01mm以上0.5mm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述絕緣蓋為陶瓷塊體,背面借助粘接層而粘接于所述陶瓷板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述細(xì)孔的直徑為0.01mm以上0.5mm以下,在所述絕緣蓋設(shè)置有5個(gè)以上所述細(xì)孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述插塞插入孔在內(nèi)周面具有內(nèi)螺紋部,
所述多孔質(zhì)插塞在外周面具有旋合于所述內(nèi)螺紋部的外螺紋部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述多孔質(zhì)插塞具有自上而下擴(kuò)徑的擴(kuò)徑部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置用部件,其中,
所述絕緣蓋及所述多孔質(zhì)插塞的外形為圓,所述絕緣蓋的外徑大于所述多孔質(zhì)插塞的外徑。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日本礙子株式會(huì)社,未經(jīng)日本礙子株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211257466.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





