[發(fā)明專利]一種改善超重?fù)紹襯底外延后WARP的工藝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211257385.0
• 申請日: 2022-10-14
• 公開（公告）號: CN115662878A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓少鋒;經(jīng)尚宸;黃星博;李仕權(quán);黃春峰;曹錦偉;孫晨光;王彥君
• 申請（專利權(quán)）人: 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/44
• 代理公司: 蘇州高專知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32474
• 代理人: 冷泠

1.一種改善超重?fù)紹襯底外延后WARP的工藝方法，其特征在于：其改善工藝方法包括以下步驟：

S1、首先在進(jìn)行超重?fù)絇h襯底外延加工前，需要對超重?fù)絇h襯底外延生長系統(tǒng)進(jìn)行腐蝕和基座包硅處理，并且需要對超重?fù)絇h襯底表面進(jìn)行前拋光處理，去除超重?fù)絇h襯底表面殘留的局部瑕疵和不平整處；

S2、其次需要將超重?fù)絇h襯底放入的加熱設(shè)備內(nèi)部，進(jìn)行實(shí)時(shí)升溫到一定范圍值的溫度區(qū)域內(nèi)，向爐內(nèi)通入大流量氫氣，用化學(xué)氣相沉積法生長一層本征外延層，再次通入大流量氫氣沖洗，進(jìn)行第二階段的生長，直到外延層的厚度達(dá)到要求；

S3、最后在超重?fù)絇h襯底外延層生長時(shí)，進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)襯底外延生長時(shí)超重?fù)絇h襯底外延生長系統(tǒng)的溫度，使得超重?fù)絇h襯底外延加工過程始終保持高溫環(huán)境，在超重?fù)絇h襯底外延生長時(shí)，CAP層生長和外延層生長使用相同的摻雜工，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對超重?fù)絇h襯底外沿進(jìn)行實(shí)時(shí)加工。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善超重?fù)紹襯底外延后WARP的工藝方法，其特征在于：所述加熱設(shè)備內(nèi)部升溫的范圍區(qū)域值為20至30攝氏度左右，且加熱升溫的時(shí)間為30秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善超重?fù)紹襯底外延后WARP的工藝方法，其特征在于：所述加熱設(shè)備內(nèi)部加熱升溫過程通入的氫氣量與超重?fù)絇h襯底的量之間的比例為70:1。