[發(fā)明專利]一種監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法及裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211255530.1
• 申請(qǐng)日: 2022-10-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115565904A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳永;凌云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州加速科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 深圳智趣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44486
• 代理人: 李興生

1.一種監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，其特征在于，所述方法包括：

連續(xù)對(duì)不同待檢的晶圓進(jìn)行檢測(cè)，得到各所述晶圓的檢測(cè)結(jié)果；

基于所述檢測(cè)結(jié)果，確定當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率；

若當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于預(yù)設(shè)的第一良率值，則提示短期內(nèi)晶圓良率出現(xiàn)異常。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，其特征在于，所述方法還包括：

若確定當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率不低于所述第一良率值，監(jiān)控是否有新的預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的待檢晶圓接受檢測(cè)；

若監(jiān)控到有新的預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的待檢的晶圓接受檢測(cè)，重復(fù)所述“確定當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率”的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)小于n。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，其特征在于，所述方法還包括：

基于所述檢測(cè)結(jié)果，確定當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率；

若當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率低于預(yù)設(shè)的第二良率值，則提示全期晶圓良率異常。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，其特征在于，所述方法還包括：

若當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率不低于所述第二良率值，判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率是否低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率；

若判斷結(jié)果為是，判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率的數(shù)值是否超出預(yù)設(shè)的閾值；

若判斷結(jié)果為是，提示短期內(nèi)晶圓良率出現(xiàn)異常。

6.一種監(jiān)測(cè)晶圓良率的裝置，其特征在于，用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的方法，所述裝置包括：

檢測(cè)模塊，用于連續(xù)對(duì)不同待檢的晶圓進(jìn)行檢測(cè)，得到各所述晶圓的檢測(cè)結(jié)果；

計(jì)算模塊，用于基于所述檢測(cè)結(jié)果，確定當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率；

第一判斷模塊，用于判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率是否低于預(yù)設(shè)的第一良率值；

第一提示模塊，用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于所述第一良率值時(shí)，提示短期內(nèi)晶圓良率出現(xiàn)異常。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

監(jiān)控模塊，用于當(dāng)所述第一判斷模塊判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率不低于所述第一良率值后，監(jiān)控是否有新的預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的待檢晶圓接受檢測(cè)；

所述計(jì)算模塊還用于當(dāng)所述監(jiān)控模塊監(jiān)控到有新的晶圓接受檢測(cè)時(shí)，再次執(zhí)行預(yù)設(shè)的功能。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的裝置，其特征在于，所述監(jiān)控模塊設(shè)置的所述預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)小于n。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的裝置，其特征在于，所述計(jì)算模塊還用于基于所述檢測(cè)結(jié)果計(jì)算當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率，所述第一判斷模塊還用于判斷當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率是否低于預(yù)設(shè)的第二良率值，所述裝置還包括：

第二提示模塊，用于當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率低于所述第二良率值后，提示全期晶圓良率異常。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的監(jiān)測(cè)晶圓良率的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

第二判斷模塊，用于判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率是否低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率；

第三判斷模塊，用于當(dāng)所述第二判斷模塊判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率后，判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率的數(shù)值是否超出預(yù)設(shè)的閾值；

所述第一提示模塊還用于當(dāng)所述第三判斷模塊判斷當(dāng)前最新所檢測(cè)的n個(gè)晶圓的良率低于當(dāng)前總共檢測(cè)的晶圓的良率的數(shù)值超出所述閾值時(shí)，提示短期內(nèi)晶圓良率出現(xiàn)異常。