[發(fā)明專利]用于氧化鎵外延的集氣環(huán)及用于氧化鎵外延的MOCVD設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211255458.2
• 申請日: 2022-10-13
• 公開（公告）號: CN115467019A
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐濤;李嬌;柳元昊
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇南大光電材料股份有限公司
• 主分類號: C30B25/14
• 分類號: C30B25/14;C30B25/12;C30B25/10;C30B29/16;C23C16/46;C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 蘇州三英知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32412
• 代理人: 陸穎

1.一種用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，包括：

環(huán)狀本體，所述環(huán)狀本體包括相對設(shè)置的第一端面、第二端面及位于第一端面和第二端面之間的內(nèi)表面和外表面，所述第一端面、第二端面、內(nèi)表面和外表面共同圍合形成腔室，所述內(nèi)表面上開設(shè)有與所述腔室連通的多個第一氣流孔，所述外表面上開設(shè)有與所述腔室連通的多個第二氣流孔。

2.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，多個所述第一氣流孔均勻分布于所述環(huán)狀本體的內(nèi)表面上。

3.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，多個所述第二氣流孔沿所述環(huán)狀本體的周向排設(shè)，且所述第二氣流孔與所述第二端面的距離小于所述第二氣流孔與所述第一端面的距離。

4.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第一氣流孔和/或所述第二氣流孔的直徑為2～10mm，相鄰所述第一氣流孔和/或相鄰所述第二氣流孔之間的間距為2～10mm。

5.如權(quán)利要求4所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第一氣流孔和/或所述第二氣流孔的直徑為3～5mm，相鄰所述第一氣流孔和/或相鄰所述第二氣流孔之間的間距為3～5mm。

6.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第一端面上開設(shè)有與所述腔室連通的多個第三氣流孔。

7.如權(quán)利要求6所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第三氣流孔的直徑為2～10mm，相鄰所述第三氣流孔之間的間距為2～10mm。

8.如權(quán)利要求7所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第三氣流孔的直徑為3～5mm，相鄰所述第三氣流孔之間的間距為3～5mm。

9.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述第一端面、第二端面、內(nèi)表面、外表面上全部或部分沉積有防氧化涂層。

10.如權(quán)利要求1所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，其特征在于，所述環(huán)狀本體的內(nèi)表面和外表面之間的直線距離為5～15mm。

11.一種用于氧化鎵外延的MOCVD設(shè)備，其特征在于，包括：

殼體，其內(nèi)形成有反應(yīng)腔，所述殼體上設(shè)置有進(jìn)氣口和排氣口；

如權(quán)利要求1～10任一所述的用于氧化鎵外延的集氣環(huán)，設(shè)置于所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述集氣環(huán)中間形成有安裝腔；

承載盤，設(shè)置于所述安裝腔內(nèi)，用于承載襯底；

加熱組件，設(shè)置于所述安裝腔內(nèi)且位于所述承載盤的下方，所述加熱組件用于加熱所述承載盤。

12.如權(quán)利要求11所述的用于氧化鎵外延的MOCVD設(shè)備，其特征在于，所述承載盤表面以及所述加熱組件表面均沉積有防氧化涂層。

13.如權(quán)利要求11所述的用于氧化鎵外延的MOCVD設(shè)備，其特征在于，所述加熱組件包括加熱盤，所述加熱盤由加熱絲卷繞而成，所述加熱絲為鐵鉻鋁合金、鎳鉻合金、表面涂覆有Al₂O₃的鐵鉻鋁合金或者表面涂覆有Al₂O₃的鎳鉻合金。