[發明專利]一種石墨烯銅箔電極及其制備方法

在審

• 申請號: 202211250610.8
• 申請日: 2022-10-13
• 公開（公告）號: CN115548254A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 王煒;王登詩;易軍
• 申請（專利權）人: 重慶石墨烯研究院有限公司
• 主分類號: H01M4/13
• 分類號: H01M4/13;H01M4/80;H01M4/66;H01M4/139;H01M10/654;H01M10/0525
• 代理公司: 重慶知競合專利代理事務所(普通合伙) 50291
• 代理人: 張朋飛

1.一種石墨烯銅箔電極，包括集流體和負極漿料層，所述負極漿料層位于集流體的一側，其特征在于：所述集流體的另一側覆蓋有石墨烯薄膜，所述集流體上設有通孔，所述石墨烯薄膜的表面上設有凸點，所述凸點位于通孔中，凸點和通孔的內壁貼合。

2.根據權利要求1所述的一種石墨烯銅箔電極，其特征在于：所述通孔為直徑為1mm圓形孔或者邊長為1mm的方形孔。

3.根據權利要求2所述的一種石墨烯銅箔電極，其特征在于：所述集流體和石墨烯薄膜之間粘接有粘接劑，粘接劑為導電膠。

4.一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：制備表面設有凸點的石墨烯薄膜；

步驟二：將石墨烯薄膜覆蓋于集流體的一側，所述集流體上設有多個通孔，使凸點位于集流體的通孔中；

步驟三：將負極漿料涂覆于集流體的另一側而形成負極漿料層。

5.根據權利要求4所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：步驟一，采用化學氣相沉積法制備石墨烯薄膜，化學氣相沉積法中使用的基底表面上設有多個凸出部。

6.根據權利要求5所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：步驟一，所述基底收卷在收卷輥上，所述基底設有凸出部的一側覆有填平層，所述填平層上設有多個凸出部孔，所述凸出部位于凸出部孔中，凸出部頂部和填平層的表面齊平。

7.根據權利要求6所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：所述填平層為鋁箔，基底為銅箔，所述基底從收卷輥上出來后先經過酸洗池進行酸洗，然后再經過清洗池進行清洗，最后將基底進行烘干后送入到CVD設備內。

8.根據權利要求5所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：步驟一，化學氣相沉積法制備的石墨烯薄膜位于基底上；步驟二，將帶有石墨烯薄膜的基底放置于支撐臺面上，石墨烯薄膜朝上；在集流體的側面上涂覆粘接劑，并將集流體涂有粘接劑的側面放置于基底設有石墨烯薄膜的表面上；然后使用噴射蝕刻法將藥液噴射到基底上。

9.根據權利要求4所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：所述負極漿料包括石墨、導電劑和溶劑。

10.根據權利要求7所述的一種石墨烯銅箔電極的制備方法，其特征在于：所述CVD設備為CVD管式爐、微波等離子CVD設備或者磁控濺射CVD設備。