[發明專利]一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法、裝置及系統

在審

• 申請號: 202211249901.5
• 申請日: 2022-10-12
• 公開（公告）號: CN115561609A
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 徐洋;謝影梅;汪劍華;王華;雷洋;王麗萍;曾聰智
• 申請（專利權）人: 派恩杰半導體（杭州）有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 姚宇吉

1.一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法，其特征在于，包括如下步驟：

通過電流采樣單元獲取SiC MOSFET電流值；

通過電壓隔離采樣單元獲取SiC MOSFET VDS值；

采集到所述SiC MOSFET VDS值和電流值，計算出SiC MOSFET相應的Rdson值；

將所述Rdson值與預設的溫度Rdson表進行查找對比，得到該時刻的SiC功率器件的結溫的溫度值。

2.根據權利要求1所述的一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法，其特征在于，所述電流采樣單元為霍爾電流傳感器或電阻或互感器，通過霍爾電流傳感器或電阻或互感器獲取SiC MOSFET電流值。

3.根據權利要求1所述的一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法，其特征在于，所述電壓隔離采樣單元包括：MOSFET驅動芯片、LDO、SiC MOSFET、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電阻以及第二電阻；所述MOSFET驅動芯片第一輸出端連接LDO第一端、SiC MOSFET源極以及第一電阻第一端；MOSFET驅動芯片第二輸出端連接LDO第二端以及SiC MOSFET柵極；SiC MOSFET漏極連接第二電阻第一端；第一電阻第二端連接LDO第三端，并且一起連接第一電容第一端、第二電容第一端、第三電容第一端、隔離電壓采樣芯片的AGND端以及隔離電壓采樣芯片的INN端；第二電阻第二端連接第一電容第二端以及隔離電壓采樣芯片的INP端；LDO第四端連接第二電容第二端、第三電容第二端以及隔離電壓采樣芯片的AVDD端；隔離電壓采樣芯片的DVDD端連接第四電容第二端、第五電容第二端以及VDD電源；隔離電壓采樣芯片的DGND端連接第四電容第一端、第五電容第一端以及地端；隔離電壓采樣芯片的CLKIN端用于連接微處理器的CLK模塊；隔離電壓采樣芯片的DOUT端用于連接微處理器的數字濾波模塊。

4.根據權利要求3所述的一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法，其特征在于，所述VDS值在SiC MOSFET正向導通時采樣。

5.根據權利要求3所述的一種應用于SiC功率器件的溫度采樣方法，其特征在于，在所述VDS值不變的情況下，進行多次電流值采樣，通過線性擬合得到不同溫度下不同的Rdson值，檢驗Rdson值與溫度的一一對應關系。

6.一種應用于SiC功率器件的溫度采樣裝置，其特征在于，包括：電流采樣單元，用于獲取SiC MOSFET的電流值；

電壓隔離采樣單元，用于在SiC MOSFET正向導通時采樣VDS值；

Rdson值計算模塊，用于將獲取的VDS值和電流值相除計算出Rdson值，計算出的Rdson值與溫度Rdson表查找對比，得到該時刻的溫度值。

7.根據權利要求6所述的一種應用于SiC功率器件的溫度采樣裝置，其特征在于，所述電壓隔離采樣單元包括：MOSFET驅動芯片、LDO、SiC MOSFET、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一電阻以及第二電阻；所述MOSFET驅動芯片第一輸出端連接LDO第一端、SiC MOSFET源極以及第一電阻第一端；MOSFET驅動芯片第二輸出端連接LDO第二端以及SiC MOSFET柵極；SiC MOSFET漏極連接第二電阻第一端；第一電阻第二端連接LDO第三端，并且一起連接第一電容第一端、第二電容第一端、第三電容第一端、隔離電壓采樣芯片的AGND端以及隔離電壓采樣芯片的INN端；第二電阻第二端連接第一電容第二端以及隔離電壓采樣芯片的INP端；LDO第四端連接第二電容第二端、第三電容第二端以及隔離電壓采樣芯片的AVDD端；隔離電壓采樣芯片的DVDD端連接第四電容第二端、第五電容第二端以及VDD電源；隔離電壓采樣芯片的DGND端連接第四電容第一端、第五電容第一端以及地端；隔離電壓采樣芯片的CLKIN端用于連接微處理器的CLK模塊；隔離電壓采樣芯片的DOUT端用于連接微處理器的數字濾波模塊。