[發明專利]光阻類芯片失效分析樣本的制作方法及分析方法

在審

• 申請號: 202211249518.X
• 申請日: 2022-10-11
• 公開（公告）號: CN115575206A
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: 茍元華;翁詩琦;吳大海;葉紅波
• 申請（專利權）人: 上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N23/04
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 吳浩

1.一種光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，包括：

提供光阻試片；

在所述光阻試片表面沉積一層金屬氧化物隔離層，并使得所述金屬氧化物隔離層完全覆蓋所述光阻試片；

在所述金屬氧化物隔離層表面覆蓋一層膠水保護層；

確定所述光阻試片的目標分析位置，根據所述目標分析位置在所述膠水保護層上形成指示標記；

對所述光阻試片進行減薄處理，以得到目標分析試樣。

2.根據權利要求1所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述在所述金屬氧化物隔離層表面覆蓋一層膠水保護層，包括：

將粘合劑和固化劑按照預設比例混合得到混合液體；

通過滴液工具將所述混合液體滴在所述光阻試片上的所述金屬氧化物隔離層表面，直至所述混合液體完全覆蓋所述金屬氧化物隔離層；

對所述光阻試片進行加熱以使所述混合液體固化后形成所述膠水保護層。

3.根據權利要求2所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述粘合劑和所述固化劑的預設比例為2:1至1:1，所述混合液體的成分為雙組分環氧酚樹脂，且所述混合液體加熱固化的溫度為30至40℃，加熱時間為5至30min。

4.根據權利要求2所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述膠水保護層頂層與所述光阻試片頂部的距離為0.2至0.3μm。

5.根據權利要求2所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述確定所述光阻試片的目標分析位置，根據所述目標分析位置在所述膠水保護層上形成指示標記，包括：

通過光學顯微鏡下獲取所述光阻試片的目標分析位置，并通過激光打標儀在所述膠水保護層上形成與所述目標分析位置對應的所述指示標記。

6.根據權利要求1所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，在對所述光阻試片進行減薄處理之前，還包括在所述膠水保護層表面形成一層減薄保護層。

7.根據權利要求6所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述在所述膠水保護層表面形成一層減薄保護層，包括：

將所述光阻試片固定在樣品座上并送入FIB機臺；

在所述FIB機臺中，根據所述指示標記的位置確定所述目標分析位置，在所述膠水保護層上方通過離子束沉積一層減薄保護層，其中，所述減薄保護層位于所述目標分析位置上方。

8.根據權利要求6或7所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述減薄保護層為鉑保護層，所述鉑保護層在豎直方向的高度為1至3μm，在所述豎直方向對所述光阻試片進行減薄，所述豎直方向為所述金屬氧化物隔離層、所述膠水保護層和所述減薄保護層的層疊方向，所述目標分析試樣的厚度為20至80nm。

9.根據權利要求1所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法，其特征在于，所述金屬氧化物隔離層包括氧化鉿層，且所述氧化鉿層的沉積溫度為20至40℃。

10.一種分析方法，其特征在于，應用于根據權利要求1至9任一項所述的光阻類芯片失效分析樣本的制作方法制作得到的目標分析試樣，所述分析方法包括：采用透射電鏡對所述目標分析樣本進行觀察，以獲取光阻的透射電鏡照片，對所述透射電鏡照片進行分析以獲取分析結果。