[發明專利]一種2.5D/3D高散熱封裝結構

在審

• 申請號: 202211246397.3
• 申請日: 2022-10-12
• 公開（公告）號: CN115621225A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 朱友基;李偉;劉衛東
• 申請（專利權）人: 華天科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 李小葉

1.一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，包括：基板和芯片封裝單元；芯片封裝單元設置于基板上；芯片封裝單元包括至少兩層芯片封裝結構；每層芯片封裝結構處分別設有內散熱金屬層；最外層的芯片封裝結構的表面設有外散熱金屬層；兩層以上的內散熱金屬層之間延伸焊接，且外散熱金屬層又與內散熱金屬層之間延伸焊接；基板的邊部上設有邊部散熱金屬層；且內散熱金屬層和外散熱金屬層的邊緣均與基板上的邊部散熱金屬層焊接。

2.根據權利要求1所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，所述基板的邊緣處還設有與邊部散熱金屬層相接的散熱拓展裙邊。

3.根據權利要求1所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，芯片封裝單元包括兩層芯片封裝結構，且第一層芯片封裝結構設置于基礎封裝結構上；該基礎封裝結構包括金屬重布線層和絕緣介質層；所述第一層芯片封裝結構包括與金屬重布線層電連接的第一層芯片、對第一層芯片進行包覆的第一塑封層以及設置于第一塑封層上的金屬線路結構；該金屬線路結構與所述金屬重布線層電連接；第二層芯片封裝結構包括與所述金屬線路結構電連接的第二層芯片以及對第二層芯片進行包覆的第二塑封層。

4.根據權利要求3所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，第一塑封層與絕緣介質層之間以及第一塑封層與第二塑封層之間分別設有所述的內散熱金屬層。

5.根據權利要求1或3所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，所述基板上設有基礎線路層，該基礎線路層與芯片封裝單元電連接。

6.根據權利要求5所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，所述基板上還設有電性導出結構，該電性導出結構與基礎線路層電連接。

7.根據權利要求6所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，所述電性導出結構為焊球。

8.根據權利要求2所述的一種2.5D/3D高散熱封裝結構，其特征在于，所述散熱拓展裙邊用于與外部的PCB板焊接。