[發明專利]一種陣列基膜、電池集流體、電池極片、電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202211245525.2
• 申請日: 2022-10-12
• 公開（公告）號: CN115440990A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 莊志;郭桂略;蔡裕宏;劉洋;虞少波;程躍
• 申請（專利權）人: 上海恩捷新材料科技有限公司
• 主分類號: H01M4/66
• 分類號: H01M4/66;H01M4/02;H01M4/04;H01M10/04;H01M50/536
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 李雪嬌

1.一種陣列基膜，其特征在于，包括呈陣列分布的多個第一區域以及與所述第一區域交替分布的第二區域，所述第一區域包括有機聚合物層，所述第二區域包括有機聚合物層以及位于所述有機聚合物層表面和內部的導電金屬。

2.根據權利要求1所述的陣列基膜，其特征在于，所述陣列分布的形式為線性陣列；或者所述陣列分布的形式為矩形陣列。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基膜，其特征在于，所述陣列基膜的厚度為500～20000nm。

4.根據權利要求1或2所述的陣列基膜，其特征在于，所述導電金屬包括Ni、Zn、Cu、Co、Mn、Ti、Ga、Ge、Sn、Sb、Zr、Mo、Al、Cr、Ag以及對應元素的合金中的一種或多種。

5.一種電池集流體，其特征在于，包括：

金屬導電層；以及

如權利要求1～4中任一項所述的陣列基膜，在所述陣列基膜的厚度方向上，所述金屬導電層位于所述陣列基膜的一側或兩側；

或者，

金屬粘結層；以及

如權利要求1～4中任一項所述的陣列基膜，在所述陣列基膜的厚度方向上，所述金屬粘結層位于所述第一區域的一側或兩側。

6.根據權利要求5所述的電池集流體，其特征在于，所述金屬導電層的厚度為200～5000nm。

7.根據權利要求5或6所述的電池集流體，其特征在于，所述金屬導電層同所述第一區域和所述第二區域均對應設置。

8.一種電池集流體，其特征在于，包括：

非金屬導電層；以及

如權利要求1～4中任一項所述的陣列基膜，在所述陣列基膜的厚度方向上，所述非金屬導電層位于所述第一區域的一側或兩側。

9.一種電池極片，其特征在于，包括：

如權利要求5～8中任一項所述的電池集流體以及位于所述電池集流體表面的活性涂層。

10.一種電池，其特征在于，包括如權利要求9所述的電池極片。

11.一種陣列基膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成呈陣列分布的多個第一區域以及與所述第一區域交替分布的第二區域，所述第一區域包括有機聚合物層，所述第二區域包括有機聚合物層以及位于所述有機聚合物層表面和內部的導電金屬。

12.根據權利要求11所述的陣列基膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將制備所述陣列基膜的聚合物原料和溶劑混合，得到第一前驅液；

向部分所述第一前驅液中加入無機顆粒并混合，得到第二前驅液；

交替使用所述第一前驅液和所述第二前驅液制備得到所述聚合物層；其中，所述第一前驅液對應所述第一區域，所述第二前驅液對應所述第二區域；

將所述聚合物層浸入造孔液，以溶解所述第二區域內的無機顆粒并形成孔洞；

將制備所述導電金屬的原料施加到所述孔洞內，通過化學鍍沉積技術形成所述導電金屬。

13.根據權利要求12所述的陣列基膜的制備方法，其特征在于，所述第二區域的方阻為50-10000mΩ/□。

14.根據權利要求12所述的陣列基膜的制備方法，其特征在于，所述無機顆粒的粒徑為100～2000nm。

15.根據權利要求12～14中任一項所述的陣列基膜的制備方法，其特征在于，所述無機顆粒包括無機鹽顆粒、過渡金屬氧化物顆粒、過渡金屬硫化物顆粒、金屬單質及其合金中的一種或多種。