[發明專利]納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置在審
| 申請號: | 202211244113.7 | 申請日: | 2022-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN115515289A | 公開(公告)日: | 2022-12-23 |
| 發明(設計)人: | 宗豪華;梁華;吳云;宋慧敏 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍空軍工程大學 |
| 主分類號: | H05H1/24 | 分類號: | H05H1/24;H05H1/28;H05H1/34 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710051 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 脈沖 介質 阻擋 放電 增壓 陣列 等離子體 合成 射流 裝置 | ||
1.納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,包括:頂蓋10,高壓電極板20,絕緣介質板30和接地金屬板40;其中頂蓋10為絕緣材料制成的矩形體,上表面為方形;頂蓋10的外輪廓長度和寬度需要根據實際應用做出適應性設計;頂蓋10內部挖空;形成矩形內部空腔,下部開放,當與高壓電極板20和絕緣介質板30配合在一起后,形成一個半封閉的、偏平的方形等離子體放電腔體,即激勵器腔體105;在頂蓋10的上表面,沿著垂直于壁面方向,自下而上加工若干個收斂型射流孔102,射流孔102上小下大;這些射流孔102排成N×M陣列,作為氣體自上而下流入和自下而上流出激勵器腔體105的喉道;位于頂蓋10上表面的喉道出口101為圓形;位于激勵器腔體105上表面的喉道入口103也為圓形;射流孔中心軸線垂直于頂蓋10上表面,或與頂蓋10的法線呈一定的角度;只要保證射流孔102下部入口面積大于上部出口面積,且自下而上、從入口到出口的截面面積是單調減小的;
電極板20由薄片狀金屬板制成;電極板具有稠密的網孔狀;每個射流孔陣列102的位置對應一個網孔,二者軸線重合;相鄰射流孔的中心間距與相鄰網孔的中心間距相同;最外圈網孔與電極板20的邊緣均保持一定距離;電極板20的長寬尺寸與激勵器腔體105的長寬尺寸基本相同,方便將電極板20自下而上嵌入頂蓋10;
絕緣介質板30為薄片狀矩形體;絕緣介質板30在水平面上的投影與頂蓋10投影重合,即二者長、寬尺寸相同;
接地金屬板40為薄片狀矩形體;接地金屬板40在水平面上的投影與頂蓋10投影重合,即絕緣介質板30、接地金屬板40的長、寬尺寸均與外殼10相同;安裝時,絕緣介質板30下表面與接地金屬板40上表面緊密結合;外殼10、電極板20、絕緣介質板30和接地金屬板40自上而下依次組裝在一起,即構成激勵器。
2.如權利要求1所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,
頂蓋10厚度為4-6mm;頂蓋10的外輪廓長度和寬度為50mm-500mm;
喉道出口101直徑范圍為1-2mm;喉道入口103的直徑范圍為2-4mm;
收斂型射流孔102的喉道長度為1-3mm;射流孔陣列102的行間距和列間距應設置為3-5倍的喉道出口直徑,范圍為3-15mm。
3.如權利要求1所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,
頂蓋10厚度為4mm,由尼龍、聚酰亞胺、PEEK或者陶瓷等絕緣材料制成;頂蓋10的外輪廓長度和寬度為50mm*50mm;
射流孔102的形狀為截椎體,該截椎體上表面與下表面平行;
喉道出口101直徑為1.5mm;喉道入口103的直徑為3mm;
收斂型射流孔102的喉道長度為2mm。
4.如權利要求1所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,
電極板20厚度為0.01mm-1mm(優選0.05mm);
電極板20的網孔最大直徑2-5mm(優選4mm)。
5.如權利要求4所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,
電極板20厚度為0.05mm;
電極板20的網孔最大直徑4mm;
電極板20為稠密方格網、三角形格子網、蜂窩網、或者梳狀網。
6.如權利要求1所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,絕緣介質板30采用聚酰亞胺、尼龍、亞克力、PPEK、陶瓷或者云母等絕緣材料制成;當采用薄膜聚酰亞胺時,厚度范圍為0.05-0.2mm;當采用其他材料時,厚度范圍為0.5-2mm。
7.如權利要求1所述的納秒脈沖介質阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,接地金屬板40厚度范圍是2-4mm。
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