[發(fā)明專利]一種氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211242933.2
• 申請(qǐng)日: 2022-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115938817A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周衛(wèi)強(qiáng);何垚;徐景坤;蔣豐興;段學(xué)民;李丹琴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西科技師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01G11/86
• 分類號(hào): H01G11/86;H01G11/30;H01G11/46
• 代理公司: 北京深川專利代理事務(wù)所(普通合伙) 16058
• 代理人: 楊鑫鑫

1.一種氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：稱取2mmol六水合硫酸鎳和一定量的六水合硝酸鈰，溶于40mL水和丙三醇的混合溶劑中，得到混合溶液A；

步驟2：稱取一定量的尿素，溶于混合溶液A中，攪拌均勻后，得到溶液B；

步驟3：將步驟2所得的溶液B轉(zhuǎn)移到50mL反應(yīng)釜中，在180-200℃的溫度下反應(yīng)12-24h，反應(yīng)完成后自然冷卻到室溫，將所得產(chǎn)物分離、洗滌、干燥后得到Ce摻雜NiO前驅(qū)體；

步驟4：將步驟3所得前驅(qū)體放入管式爐中煅燒，煅燒結(jié)束后得到最終產(chǎn)物Ce摻雜NiO納米帶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，六水合硫酸鎳與六水合硝酸鈰的摩爾比為100:x，其中0＜x≤5。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，丙三醇的體積用量為0.5-5mL。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，所述步驟2中，尿素的用量為0.025-0.4g。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，干燥條件為真空環(huán)境，溫度為60-70℃，時(shí)間為8-12h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料的制備方法，其特征在于，所述步驟4中，煅燒溫度為450℃，煅燒時(shí)間為0.5-1.5h；管式爐升溫速率為0.5-5℃/min。

7.一種氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料，其特征在于，其特征在于，由權(quán)利要求1-6任一所述的方法制備而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧空位稀土Ce摻雜NiO納米帶高電容材料，其特征在于，用于超級(jí)電容器。