[發明專利]一種耦合型多芯光纖及其制備方法

在審

• 申請號: 202211242517.2
• 申請日: 2022-10-11
• 公開（公告）號: CN115685439A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 胡景;田國才;和聯科;姚艷;翟國華;陶泉;王友兵;勞雪剛
• 申請（專利權）人: 江蘇亨通光導新材料有限公司;江蘇亨通光電股份有限公司;江蘇亨通光纖科技有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036;G02B6/38;G02B6/26;G02B6/12
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 李小葉

1.一種耦合型多芯光纖，其特征在于：包括纖芯單元和包圍該纖芯單元的光纖包層；

纖芯單元包括多個傳輸纖芯，每個傳輸纖芯包括芯層和包圍該芯層的纖芯包層；該多個傳輸纖芯在光纖包層中呈均勻分布；

包圍傳輸纖芯的光纖包層包括內包層和環形的外包層；

該多芯光纖的折射率剖面為階躍型剖面結構；

該多芯光纖的中心處不設置傳輸纖芯。

2.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：所述纖芯單元還包括標記纖芯，標記纖芯靠近其中任意一個傳輸纖芯。

3.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：相鄰兩個傳輸纖芯的間距為小于或等于35μm。

4.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：傳輸纖芯的芯層的半徑大于或等于3.0μm且小于或等于6.25μm；傳輸纖芯的纖芯包層的半徑與芯層的半徑之比為1.0～3.0。

5.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：所述光纖包層的半徑為62.5μm。

6.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：芯層相對于純二氧化硅的折射率差△N1為-0.0005～0.0058；纖芯包層相對于純二氧化硅的折射率差△N2為-0.0060～-0.0005。

7.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：所述內包層相對于純二氧化硅的折射率差△N3為-0.0080～-0.0010；所述外包層相對于純二氧化硅的折射率差△N4為-0.0055～0。

8.根據權利要求1所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：所述芯層為摻鍺二氧化硅芯層或摻堿金屬二氧化硅芯層；所述纖芯包層為摻氟二氧化硅包層。

9.根據權利要求2所述的一種耦合型多芯光纖，其特征在于：所述標記纖芯的半徑大于或等于2.5μm且小于或等于4μm。

10.一種權利要求1至9任一項所述的耦合型多芯光纖的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)首先制備套柱胚棒和纖芯單元；

(2)將纖芯單元的各個芯棒的直徑延伸至目標匹配直徑；

(3)利用高精度鉆孔設備按設計的孔分布圖依次在套柱胚棒上進行鉆孔，制得套柱；

(4)將纖芯單元的各個芯棒與套柱的對應孔組裝，獲得強耦合多芯光纖光棒，將光棒通過后續的拉絲工藝，制得該耦合型多芯光纖。