[發(fā)明專利]線切割單元、設(shè)備、硅片及其制造方法

在審

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• 申請日: 2022-10-11
• 公開（公告）號: CN115609775A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王明;張舸
• 申請（專利權(quán)）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04
• 代理公司: 西安維英格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61253
• 代理人: 侯麗麗;宋東陽

1.一種線切割單元，其特征在于，所述線切割單元包括：

切割線；

彼此間隔開且平行地布置的至少兩個線軸，每個線軸上設(shè)置有彼此平行且間隔開的多個導(dǎo)引槽，所述切割線依次纏繞在每個線軸的每個導(dǎo)引槽上以形成由橫跨所述至少兩個線軸并且彼此平行的多個切割線段組成的陣列，所述陣列用于通過沿所述切割線的延伸方向的運動將硅棒一次性切割成多個硅片；

其中，所述多個導(dǎo)引槽中的相鄰導(dǎo)引槽之間的間距根據(jù)所述切割線的形變沿著所述多個切割線段的排列方向按照設(shè)定的規(guī)律進行設(shè)置，使得切割出的所述多個硅片具有一致的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線切割單元，其特征在于，當切割出N個硅片需要設(shè)置n個導(dǎo)引槽時，所述相鄰導(dǎo)引槽之間的間距通過式1獲得：

D_n＝T+d₁-Δd_n (1)，

其中，D_n代表第n個導(dǎo)引槽與第n-1個導(dǎo)引槽之間的間距，T代表目標硅片厚度，d₁代表切割線的初始直徑，Δd_n代表在切割過程中位于第n個導(dǎo)引槽中的切割線相比于位于第1個導(dǎo)引槽中的切割線的直徑變化量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線切割單元，其特征在于，代表在切割過程中位于第n個導(dǎo)引槽中的切割線相比于位于第1個導(dǎo)引槽中的切割線的所述直徑變化量Δd_n通過式2獲得：

其中，K為實測切割線磨損系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的線切割單元，其特征在于，所述多個導(dǎo)引槽中的相鄰導(dǎo)引槽之間的間距設(shè)置成沿著所述多個切割線段的排列方向逐漸減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的線切割單元，其特征在于，所述線軸包括本體和以可拆卸的方式安裝在所述本體的外圓周上的導(dǎo)引部，所述導(dǎo)引槽設(shè)置在所述導(dǎo)引部上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的線切割單元，其特征在于，所述導(dǎo)引部包括并列安裝在所述本體上的多個導(dǎo)引單元，每個導(dǎo)引單元包括一個或更多個所述導(dǎo)引槽，并且每個導(dǎo)引單元之間的間距是能夠調(diào)節(jié)的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的線切割單元，其特征在于，每個導(dǎo)引單元能夠獨立于彼此在所述本體上安裝和拆卸。

8.一種線切割設(shè)備，其特征在于，所述線切割設(shè)備包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的線切割單元；

用于裝載并固定待加工硅棒的承載單元；

移動控制單元，用于控制所述線切割單元和/或所述承載單元移動，以使得所述線切割單元和所述承載單元相向移動以對硅棒進行切割。

9.一種用于制造硅片的方法，其特征在于，所述方法包括：

采用根據(jù)權(quán)利要求8所述的線切割設(shè)備制造硅片，包括以下步驟：

通過承載單元裝載并固定硅棒；

通過移動控制單元控制線切割單元和裝載并固定有硅棒的承載單元相向運動以對硅棒進行切割；

對硅棒切割后得到的硅片進行清洗并進行檢測。

10.一種硅片，其特征在于，所述硅片通過使用根據(jù)權(quán)利要求8所述的線切割設(shè)備獲得。