[發(fā)明專利]一種卵巢器官芯片、制作方法及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211242365.6
• 申請日: 2022-10-11
• 公開（公告）號: CN115678774A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王世宣;吳桐;張金金
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)同濟醫(yī)學(xué)院附屬同濟醫(yī)院
• 主分類號: C12M3/00
• 分類號: C12M3/00;C12M1/00;C12M1/14;C12M1/12;C12M1/36;C12N5/071
• 代理公司: 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 代春茹

1.一種卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢器官芯片由四層結(jié)構(gòu)封接而成，自上而下依次為卵巢芯片上層(1)、卵泡培養(yǎng)層(2)、多孔濾膜層(3)和卵巢芯片下層(4)，所述卵巢芯片上層(1)包括上層入口池(5)、上層培養(yǎng)基灌流室(6)、上層出口池(7)和上層灌流通道(8)；所述上層培養(yǎng)基灌流室(6)上端通過上層灌流通道(8)與上層入口池(5)相通，下端通過上層灌流通道(8)與上層出口池(7)相通；所述卵巢芯片下層(4)包含下層入口池(12)、下層培養(yǎng)基灌流室(13)、下層出口池(14)和下層灌流通道(15)，所述下層培養(yǎng)基灌流室(13)上端通過下層灌流通道(15)與下層入口池(12)相通，下端通過下層灌流通道(15)與下層出口池(14)相通；所述卵巢芯片上層(1)和卵巢芯片下層(4)的灌流通道所在方向互相垂直；所述卵泡培養(yǎng)層(2)上設(shè)有圓孔(9)或圓柱(10)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢芯片上層(1)、所述卵泡培養(yǎng)層(2)和所述卵巢芯片下層(4)所用材料包括但不限于聚二甲基硅氧烷PDMS、聚苯乙烯、玻璃和聚己內(nèi)酯PCL中的至少一種或組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，分別使用獨立的微泵對所述卵巢芯片上層(1)和所述卵巢芯片下層(4)進行控制，所述微泵的流速為10-1000μL/h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢器官芯片的封接方式包括但不限于PDMS膠體粘合連接、氧氣等離子體不可逆封接或環(huán)氧樹脂封接中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述圓孔(9)或圓柱(10)呈陣列通量，個數(shù)為10-200。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵泡培養(yǎng)層(2)上設(shè)有圓孔(9)，構(gòu)成蜂巢狀卵巢芯片，圓孔(9)與多孔濾膜層(3)形成細(xì)胞培養(yǎng)小室(16)，細(xì)胞培養(yǎng)小室(16)具有不同孔徑結(jié)構(gòu)，孔徑直徑為30-700μm，深度為50-700μm，越靠近上層入口池(5)，細(xì)胞培養(yǎng)小室(16)直徑越小、深度越淺。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵泡培養(yǎng)層(2)上設(shè)有圓柱(10)，構(gòu)成柵格狀卵巢芯片，圓柱(10)與多孔濾膜層(3)形成細(xì)胞培養(yǎng)柵格，通過阻擋卵泡進行培養(yǎng)，圓柱(10)之間具有不同的間距，間距范圍為30-700μm，高度為50-700μm，圓柱直徑為30-100μm，越靠近上層入口池(5)，圓柱(10)之間的間距越大。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述多孔濾膜層(3)包括一個多孔濾膜(11)，所述多孔濾膜(11)的成分包括聚碳酸酯膜、纖維素膜、尼龍膜、聚偏二氟乙烯膜、聚醚砜、細(xì)胞培養(yǎng)膜或聚四氟乙烯膜中的至少一種，所述多孔濾膜(11)的厚度為10-200μm，所述上層灌流通道(8)和下層灌流通道(15)的高度均為200-1000μm。

9.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的卵巢器官芯片的制作方法，其特征在于，包括：選用生物3D打印方法或犧牲層制造澆注方法制作所述卵巢器官芯片。

10.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的卵巢器官芯片的應(yīng)用，其特征在于，用于構(gòu)建卵巢生理模型、卵巢病理模型和卵巢干預(yù)模型，所述卵巢生理模型包括卵巢排卵模型和卵巢衰老模型。