[發明專利]一種晶圓運載裝置及方法有效
| 申請號: | 202211240302.7 | 申請日: | 2022-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN115440643B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 許彬彬;黎振江;陳菲;楊崢 | 申請(專利權)人: | 深圳技術大學 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 謝松 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 運載 裝置 方法 | ||
本發明公開了一種晶圓運載裝置及方法,晶圓運載裝置包括:機柜、基座、升降裝置;轉盤,設置于升降裝置;延伸轉架,設置于轉盤;第一驅動裝置和第二驅動裝置,均設置于延伸轉架;第一晶圓取放板和第二晶圓取放板,均與延伸轉架滑動連接;第一驅動裝置驅動第一晶圓取放板滑動;第二驅動裝置驅動第二晶圓取放板滑動;第一晶圓取放板位于第二晶圓取放板下方。由于晶圓運載裝置中設置兩個晶圓取放板,且兩個晶圓取放板相互獨立,分別取放待檢測晶圓和已檢測晶圓,尤其是在檢測位置上時,通過第二晶圓取放板取出已檢測晶圓后,可以立即采用第一晶圓取放板放入待檢測晶圓,縮短更換晶圓的時間,提高了晶圓的運載效率。
技術領域
本發明涉及晶圓制造技術領域,尤其涉及的是一種晶圓運載裝置及方法。
背景技術
晶圓(wafer)是由高純度,幾乎無缺陷的單晶材料制成的,其純度為99.9999999%(9N)或更高。以硅制晶圓生產為例,首先用晶圓鋸(一種線鋸)對硅錠進行切片。在切片后,先進行化學蝕刻以去除加工步驟中的晶體損傷通過研磨去除晶圓正面和背面的鋸痕和表面缺陷,最后進行拋光以形成晶圓。
晶圓測試平臺是芯片生產廠家用于檢測晶圓片(Wafer)上的裸片(Die)的結構的一種自動化檢測運動平臺。主流的晶圓的尺寸正由8英寸往12英寸,甚至18英寸發展。現有技術中,晶圓測試平臺的檢測位置上更換晶圓時,需要先將晶圓取下放好,再去取另一個晶圓并放到檢測位置,這個過程耗時較大,導致晶圓運輸效率較低。同時,還存在晶圓運載裝置成本較高的問題。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
本發明要解決的技術問題在于,針對現有技術的上述缺陷,提供一種晶圓運載裝置及方法,旨在解決現有技術中晶圓運載效率較低的問題。
本發明解決技術問題所采用的技術方案如下:
一種晶圓運載裝置,其中,包括:
機柜;
基座,設置于所述機柜;
升降裝置,設置于所述基座;
轉盤,設置于所述升降裝置;
延伸轉架,設置于所述轉盤;
第一驅動裝置和第二驅動裝置,均設置于所述延伸轉架;
第一晶圓取放板和第二晶圓取放板,均與所述延伸轉架滑動連接;
其中,所述第一驅動裝置驅動所述第一晶圓取放板滑動;
所述第二驅動裝置驅動所述第二晶圓取放板滑動;
所述第一晶圓取放板位于所述第二晶圓取放板下方。
所述的晶圓運載裝置,其中,所述轉盤采用中空旋轉平臺,所述延伸轉架包括:
筒體,設置于所述中空旋轉平臺;
延伸板,設置于所述筒體背離所述中空旋轉平臺的一端;
其中,所述第一晶圓取放板和所述第二晶圓取放板均沿所述延伸板的長度方向滑動。
所述的晶圓運載裝置,其中,所述第一驅動裝置包括:
第一皮帶傳動器,設置于所述延伸板,且所述第一皮帶傳動器的同步帶與所述第一晶圓取放板連接;
外傳動軸,位于所述筒體內,且與所述第一皮帶傳動器的主動輪連接;
第二皮帶傳動器,所述第二皮帶傳動器的從動輪與所述外傳動軸連接;
第一驅動件,設置于所述筒體外,所述第一驅動件的輸出軸與所述第二皮帶傳動器的主動輪連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳技術大學,未經深圳技術大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211240302.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種鋼軌用動力吸振裝置
- 下一篇:一種便于操作的導管鞘組
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





