[發明專利]一種最短沖突路徑搜索方法、裝置及存儲介質

在審

• 申請號: 202211235499.5
• 申請日: 2022-10-10
• 公開（公告）號: CN115600547A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 胡渲;于士濤;馬海南;吳登輝
• 申請（專利權）人: 成都華大九天科技有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;G06T11/00
• 代理公司: 北京紅花知識產權代理事務所(普通合伙) 16030
• 代理人: 林樂飛

為了能夠快速檢查當前版圖中是否存在設計不合理的地方導致相鄰圖形著色相同(沖突)，本發明公開了一種集成電路物理版圖雙重曝光中指定掩膜的最短沖突路徑搜索方法及裝置，包括:a.將多個版圖區塊中的各版圖區塊的圖形進行二著色；b.將二著色后的各所述版圖區塊的圖形轉換為相對應的節點拓撲圖：c.針對各所述節點拓撲圖中的所有沖突連接，自各沖突連接的兩端分別進行廣度優先遍歷，找到對于每一個沖突連接而言經過該沖突連接且兩端是人為指定著色點的最短沖突路徑；d.基于針對各沖突連接找到的所有最短沖突路徑獲取所述節點拓撲圖的全局最短沖突路徑。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路設計技術領域，特別是涉及在先進工藝DRC中進行的雙重曝光物理驗證流程。具體地，涉及一種在二色掩模分配之后，尋找兩端是人為指定著色點的最短沖突路徑的方法。

背景技術

多重曝光(Multiple-patterning)屬于先進工藝DRC所需的流程和關鍵技術。在先進工藝物理版圖中，某一材料層(Layer)的圖形間距往往過小，所有圖形放在一張掩模版(Mask)上光刻，干涉效應明顯，導致刻蝕失敗。由此衍生了多重曝光技術。技術原理很簡單，將一張掩模版上的圖形間隔分配到多張上，增大間距，降低干涉影響，通過多次曝光和刻蝕的迭代過程，最終形成完整的硅片圖案。。

多重曝光工具采用DRC檢查結果描述干涉效應。因此，工具的輸入數據是材料層的圖形，以及圖形之間由于間距過小導致的DRC檢查結果；工具的輸出是對材料層圖形的著色結果(即多張掩模版的分配方案)。

掩模版造價昂貴，因此顏色總數不會太多，最常用的是雙重曝光(Double-patterning)。雙重曝光的原理是將一套高密度的電路圖形分解成兩套分立的、密度低一些的圖形，然后將它們印制到目標晶圓上。雙重曝光有多種不同的實現方法，不過基本步驟都是先印制一半的圖形，顯影，刻蝕；然后重新旋涂一層光刻膠，再印制另一半的圖形，最后利用硬掩膜或選擇性刻蝕來完成整個光刻過程。在雙重曝光光刻工藝中，集成電路的同一設計版圖圖形會被拆分并分配到兩個不同的掩膜版上，分配到兩張掩膜版上的圖形通常使用曝光-刻蝕-曝光-刻蝕工藝(LithoEtch-Litho-Etch，LELE)或曝光-凍結-曝光-刻蝕工藝(Litho-Freeze-Litho-Etch，LFLE)進行制造。雙重曝光工具會對分割并分配到兩個不同的掩膜版上的圖形進行二色掩模分配，即對分割后的不同設計圖形著不同的“顏色”，不同顏色對應不同的光掩膜。

一般在二色掩模分配之前可以先指定一些圖形為指定的顏色，以便生成最符合工程師期望的著色結果，指定顏色的點稱之為人為著色點，又稱之為指定掩膜點。如果版圖設計不合理，在二色掩模分配階段會將相鄰的圖形著色成同一種顏色，即將相鄰的圖形分配到同一張掩模版，導致刻蝕失敗。換言之，拆分后的圖形必須滿足根據工藝條件確定的規則，不滿足規則的部分即相鄰圖形著色相同則稱為沖突。因此，在版圖設計過程中，如果能夠找到一種方法能夠檢查當前版圖中是否存在設計不合理的地方導致相鄰圖形著色相同(沖突)，并且定位出錯誤的位置，就能夠避免設計錯誤，加快設計流程。

發明內容

本發明旨在提供一種集成電路物理版圖雙重曝光中指定掩膜的最短沖突路徑搜索方法，以解決現有二色掩模分配過程中存在的可能相鄰圖形著色沖突問題的定位問題，。

為了實現上述目的，本發明所述集成電路物理版圖雙重曝光中指定掩膜的最短沖突路徑搜索方法，包括：

a.將多個版圖區塊中的各版圖區塊的圖形進行二著色；

b.將二著色后的各所述版圖區塊的圖形轉換為相對應的節點拓撲圖：

c.針對各所述節點拓撲圖中的所有沖突連接，自各沖突連接的兩端分別進行廣度優先遍歷，找到對于每一個沖突連接而言經過該沖突連接且兩端是人為指定著色點的最短沖突路徑，其中，經過各沖突連接的每條所述最短沖突路徑滿足下列條件：(1)路徑兩端為人為指定著色點；(2)路徑至少經過一個沖突連接；(3)路徑內部不能重復經過一個圖形；(4)路徑之間不能重復經過一個圖形；