[發(fā)明專利]電容匹配方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211229914.6
• 申請(qǐng)日: 2022-10-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115664368A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳數(shù)馬電子技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H7/38
• 分類(lèi)號(hào): H03H7/38;G06F30/367;H01Q23/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種電容匹配方法，其特征在于，應(yīng)用于天線輻射電路，所述天線輻射電路包括天線和電容匹配電路，所述方法包括：

獲取天線在目標(biāo)頻率下的等效并聯(lián)阻抗電阻值和所述天線中串聯(lián)電感的電感量；

將所述等效并聯(lián)阻抗電阻值、所述串聯(lián)電感的電感量、射頻功放電路的最佳輸出阻抗電阻值以及所述目標(biāo)頻率輸入電容匹配模型，獲得所述目標(biāo)頻率下所述電容匹配電路中第一串聯(lián)電容的第一電容值和第二串聯(lián)電容的第二電容值；

將所述第一串聯(lián)電容的電容值調(diào)至所述第一電容值，將所述第二串聯(lián)電容的電容值調(diào)至所述第二電容值；

其中，所述電容匹配模型被表示為：

R_d為射頻功放電路的最佳輸出阻抗電阻值，R_p為所述等效并聯(lián)阻抗電阻值，C₁為所述第一電容值，C₂為所述第二電容值，f_o為所述目標(biāo)頻率，L為所述串聯(lián)電感的電感量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容匹配方法，其特征在于，所述獲取天線在目標(biāo)頻率下的等效并聯(lián)阻抗電阻值包括：

獲取測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到的所述目標(biāo)頻率下所述天線兩端的目標(biāo)阻抗電阻值，以作為所述等效并聯(lián)阻抗電阻值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容匹配方法，其特征在于，所述獲取測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到的所述目標(biāo)頻率下所述天線兩端的目標(biāo)阻抗電阻值包括：

獲取所述測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到的所述天線兩端的阻抗值與工作頻率之間的映射關(guān)系；

基于所述目標(biāo)頻率，從所述映射關(guān)系中，獲取對(duì)應(yīng)的所述天線兩端的天線阻抗值，以獲得所述目標(biāo)阻抗電阻值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容匹配方法，其特征在于，所述獲取天線在目標(biāo)頻率下的等效并聯(lián)阻抗電阻值包括：

確定多個(gè)第一參考頻率；

獲取測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到的各所述第一參考頻率所對(duì)應(yīng)的所述天線兩端的第一參考阻抗電阻值；

將所述目標(biāo)頻率、多個(gè)所述第一參考頻率及與所述第一參考頻率對(duì)應(yīng)的所述第一參考阻抗電阻值輸入阻抗修正模型，得到所述等效并聯(lián)阻抗電阻值；所述阻抗修正模型被表示為：

R_ci＝(R_s+j2πf_ciL)//(1/j2πf_ciC_x)

R_p＝(2πf_oL)²/R_s+R_s

R_ci為第i個(gè)所述第一參考頻率對(duì)應(yīng)的所述第一參考阻抗電阻值，R_s為串聯(lián)電阻值，f_ci為第i個(gè)所述第一參考頻率，L為串聯(lián)電感的電感量，C_x為寄生電容值，“//”為并聯(lián)符號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容匹配方法，其特征在于，所述獲取測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到各所述第一參考頻率所對(duì)應(yīng)的所述天線兩端的第一參考阻抗電阻值包括：

獲取所述測(cè)量設(shè)備測(cè)量得到的所述天線兩端的阻抗值與工作頻率之間的映射關(guān)系；

基于各所述第一參考頻率，從所述映射關(guān)系中，獲取對(duì)應(yīng)的所述天線兩端的阻抗值，以獲得所述第一參考阻抗電阻值。