[發明專利]太陽能電池及光伏組件在審
| 申請號: | 202211229358.2 | 申請日: | 2021-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN115528121A | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發明(設計)人: | 于琨;劉長明;張昕宇 | 申請(專利權)人: | 上海晶科綠能企業管理有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 錢嫻靜 |
| 地址: | 201100 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池包括:
半導體襯底,其中,
所述半導體襯底的后表面具有第一紋理結構,所述第一紋理結構呈現出非金字塔狀的微結構形貌,包括至少部分堆疊的兩個或多個第一子結構,所述第一子結構的頂部表面為多邊形平面;在所述至少部分堆疊的兩個或多個第一子結構中,最外側第一子結構的頂部表面的一維尺寸小于等于45μm;
所述半導體襯底的前表面具有第二紋理結構,所述第二紋理結構包括金字塔狀微結構,所述金字塔狀微結構包括遠離所述半導體襯底前表面的頂部及靠近所述半導體襯底前表面的底部,在遠離所述前表面且垂直于所述前表面的方向上,所述金字塔狀微結構的頂部與底部的距離小于等于5μm;
位于所述半導體襯底的前表面的第二紋理結構上的第一鈍化層;
位于所述半導體襯底的后表面的第一紋理結構上的隧穿氧化層;
位于所述隧穿氧化層表面的摻雜導電層;以及
位于所述摻雜導電層表面的第二鈍化層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,對于所述至少部分堆疊的兩個或多個第一子結構,在遠離所述后表面且垂直于所述后表面的方向上,最外側第一子結構的頂部表面及與其相鄰的第一子結構的頂部表面的距離小于等于2μm。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述多邊形平面的形狀包括菱形、方形、梯形、近似菱形、近似方形、近似梯形中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述最外側第一子結構的頂部表面上的隧穿氧化層厚度小于所述最外側第一子結構側部表面上的隧穿氧化層厚度。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一紋理結構還包括鄰接非堆疊排布的兩個或多個第二子結構,遠離所述后表面的所述第二子結構的頂部表面的一維尺寸小于等于45μm。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二子結構的頂部表面為多邊形平面。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述隧穿氧化層包括氧化硅層、氧化鋁層、氮氧化硅層、氧化鉬層及氧化鉿層中的至少一種。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,所述隧穿氧化層的厚度為0.8nm~2nm。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化層包括氮化硅層、氧化硅層、氮氧化硅層中的至少一種。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化層的厚度為70nm-120nm。
11.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層包括氧化硅層、氮化硅層、氧化鋁層、氮氧化硅層中的至少一種。
12.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層為氧化鋁層和氮化硅層的疊層鈍化結構。
13.根據權利要求12所述的太陽能電池,其特征在于,所述氮化硅層的厚度為50nm-110nm。
14.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化層為依次層疊設置的氧化鋁層、氮化硅層和氮氧化硅層的疊層鈍化結構。
15.根據權利要求12或14所述的太陽能電池,其特征在于,所述氧化鋁層的厚度范圍為2nm~10nm。
16.根據權利要求12或14所述的太陽能電池,其特征在于,所述氮化硅層的厚度為40nm-80nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





