[發(fā)明專利]易潔卷材及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211228400.9
• 申請(qǐng)日: 2022-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN115678447B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝煒;周柏豪;李煥新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 箭牌家居集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C09J7/29
• 分類號(hào): C09J7/29;C08J7/04;C08J7/046;C08J7/06;C08L67/02;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/20;C23C14/24
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 張建珍

1.一種易潔卷材，其特征在于，包括沉積在基底上的二氧化硅層和沉積在所述二氧化硅層上的易潔涂層；所述易潔涂層的組分為全氟聚醚硅氧烷或全氟聚醚硅氧烷-聚硅氧烷；所述二氧化硅層的厚度為3～20nm；所述易潔卷材采用包括以下步驟的制備方法制得：

S1：將基底置于卷繞式鍍膜機(jī)上，在所述基底表面沉積二氧化硅層；

S2：在所述二氧化硅層表面沉積易潔涂層；

步驟S2中所述沉積的方式選自雙源共蒸法或瞬時(shí)蒸發(fā)法。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的易潔卷材，其特征在于，所述易潔涂層為包括所述全氟聚醚硅氧烷和所述聚硅氧烷的復(fù)合涂層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的易潔卷材，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為5～20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的易潔卷材，其特征在于，所述易潔卷材還包括保護(hù)膜、膠層和離型底膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易潔卷材，其特征在于，所述保護(hù)膜設(shè)置于所述易潔涂層的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的易潔卷材，其特征在于，所述膠層和所述離型底膜依次層疊設(shè)置于所述基底背離所述二氧化硅層的一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的易潔卷材，其特征在于，所述易潔卷材還包括保護(hù)膜、透明油墨層、鋁層、膠層和離型底膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的易潔卷材，其特征在于，所述透明油墨層、所述鋁層、所述膠層和所述離型底膜依次層疊設(shè)置于所述基底背離所述二氧化硅層的一側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的易潔卷材，其特征在于，所述易潔卷材還包括保護(hù)膜、透明油墨層、鋁層、膠水-基底復(fù)合層、膠層和離型底膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的易潔卷材，其特征在于，所述透明油墨層、所述鋁層、所述膠水-基底復(fù)合層、所述膠層和所述離型底膜依次層疊設(shè)置于所述基底背離所述二氧化硅層的一側(cè)。

11.權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述易潔卷材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：將基底置于卷繞式鍍膜機(jī)上，在所述基底表面沉積二氧化硅層；

S2：在所述二氧化硅層表面沉積易潔涂層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中沉積所述二氧化硅層的方法選自物理氣相沉積鍍膜法或化學(xué)氣相沉積鍍膜法。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積鍍膜法選自濺射鍍膜、真空鍍膜、離子鍍膜中的任一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中沉積所述二氧化硅層的方法選自濺射鍍膜。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，步驟S1在將所述基底置于所述卷繞式鍍膜機(jī)上前，需先對(duì)所述基底進(jìn)行清洗烘干；所述將基底置于卷繞式鍍膜機(jī)上后，需先對(duì)所述基底的一側(cè)進(jìn)行等離子清洗，然后在清洗面上沉積所述二氧化硅層。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述沉積的方式選自雙源共蒸法或瞬時(shí)蒸發(fā)法。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述沉積的方式選自雙源共蒸法。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，步驟S2在沉積所述易潔涂層后，進(jìn)行收卷，收卷的同時(shí)將保護(hù)膜與所述易潔涂層的表面貼合。