[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的蜂窩布局

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211220523.8
• 申請日: 2015-06-24
• 公開（公告）號: CN115663014A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A.V.博羅特尼科夫;P.A.羅西
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 付曼;陳嵐

1.一種系統(tǒng)，包括：

半導(dǎo)體器件單元，設(shè)置在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體層的表面，其中所述半導(dǎo)體器件單元包括：

漂移區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，設(shè)置成與所述漂移區(qū)相鄰；

源區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型，設(shè)置成與所述阱區(qū)相鄰；

溝道區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型，設(shè)置成包圍所述源區(qū)并且接近所述表面；以及

體接觸件區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型，設(shè)置在所述阱區(qū)的一部分之上，其中所述體接觸件區(qū)沒有在所述半導(dǎo)體器件單元中居中；以及

分段源和體接觸件(SSBC)，設(shè)置在所述表面的一部分之上，其中所述SSBC包括：

體接觸件部分，設(shè)置在所述體接觸件區(qū)之上；以及

源接觸件部分，設(shè)置成與所述體接觸件區(qū)相鄰并且在所述源區(qū)的一部分之上，其中所述源接觸件部分沿所述SSBC的所述體接觸件部分的僅一側(cè)或僅兩側(cè)設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述SSBC具有少于與所述表面垂直的對稱的兩個不同鏡平面。

3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述源接觸件部分的第一節(jié)段和第二節(jié)段設(shè)置在所述體接觸件部分的相對側(cè)上。

4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述SSBC的所述體接觸件部分的至少一側(cè)設(shè)置成接近沒有設(shè)置在所述SSBC之下的所述源區(qū)的一部分。

5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述體接觸件區(qū)基本上是菱形形狀。

6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述體接觸件區(qū)基本上是方形形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體器件單元包括場晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、絕緣基MOS控制晶閘管(IBMCT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)或者金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)。

8.一種系統(tǒng)，包括：

蜂窩半導(dǎo)體器件布局，包括設(shè)置在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體層的表面的多個半導(dǎo)體器件單元，其中所述多個蜂窩半導(dǎo)體器件單元各包括：

漂移區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，設(shè)置成與所述漂移區(qū)相鄰，其中所述阱區(qū)包括設(shè)置成接近所述表面的體接觸件區(qū)；

源區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型，設(shè)置成與所述阱區(qū)相鄰，其中所述源區(qū)包括設(shè)置成接近所述表面并且接近所述體接觸件區(qū)的源接觸件區(qū)；

溝道區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型，設(shè)置成包圍所述源區(qū)并且接近所述表面；以及

不對稱分段源和體接觸件(SSBC)，設(shè)置在所述表面的一部分之上，其中所述不對稱SSBC包括：

體接觸件部分，設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件單元的所述體接觸件區(qū)之上；以及

源接觸件部分，設(shè)置成與所述體接觸件部分相鄰并且在所述半導(dǎo)體器件單元的所述源接觸件區(qū)之上，其中所述不對稱SSBC的所述源接觸件部分沿所述不對稱SSBC的所述體接觸件部分的僅一側(cè)或僅兩側(cè)設(shè)置。

9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述蜂窩半導(dǎo)體器件布局配置成使得(2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于(2L_ch+W_JFET)或者使得(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于W_JFET或者使得(2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于(2L_ch+W_JFET)并且(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于W_JFET，其中L_ch是溝道長度，L_ch-to-ohm是歐姆區(qū)的長度，W_ohm是所述歐姆區(qū)的寬度，以及W_JFET是所述多個蜂窩半導(dǎo)體器件單元的JFET區(qū)的寬度。