[發明專利]一種水中硫酸鹽去除的工藝

在審

• 申請號: 202211218950.2
• 申請日: 2022-10-07
• 公開（公告）號: CN115448520A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 侯君悅;侯雙成
• 申請（專利權）人: 南京新輝環保科技有限公司
• 主分類號: C02F9/10
• 分類號: C02F9/10;C02F101/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種水中硫酸鹽去除的工藝，包括一次沉淀轉化工藝單元，再生反應單元，蒸發結晶單元，其特征在于：高濃度硫酸鹽鹽水作為進水通過進水管道進入一次沉淀轉化工藝單元，與投加的富含碳酸鋇的藥劑進行第一次沉淀轉化，高濃度硫酸鹽鹽水轉化為含低濃度硫酸鹽和高濃度碳酸鹽的鹽水和一次沉淀物硫酸鋇沉淀，含低濃度硫酸鹽和高濃度碳酸鹽鹽水作為出水通過出水管道流出系統；

一次沉淀轉化工藝單元的沉淀物硫酸鋇沉淀通過一次沉淀輸送裝置輸送到再生反應單元，在再生反應單元中硫酸鋇沉淀與高濃度碳酸銨溶液進行第二次沉淀轉化，形成以碳酸鋇沉淀為主的二次沉淀物，二次沉淀物富含碳酸鋇，通過二次沉淀輸送裝置返回第一次沉淀轉化工藝單元進行反應；

再生反應單元第二次沉淀轉化后的上清液主要含有硫酸根離子，碳酸根離子和銨根離子等，通過再生反應出水管道進入蒸發結晶單元，蒸發結晶出硫酸銨固體，蒸發冷凝液再通過碳酸銨補充裝置補入的碳酸根離子和銨根離子形成高濃度碳酸銨溶液，用高濃度碳酸銨溶液輸送裝置輸送到再生反應單元用于第二次沉淀轉化。

2.根據權利要求1所述的一種水中硫酸鹽去除的工藝，其特征在于：一次沉淀轉化工藝單元在高程布置上位于高于再生反應單元足夠的高度，可以使一次沉淀物依靠內部壓力通過壓力管道進入再生反應單元。

3.根據權利要求1所述的一種水中硫酸鹽去除的工藝，其特征在于：再生反應單元在高程布置上位于高于一次沉淀轉化工藝單元足夠的高度，可以使二次沉淀物依靠內部壓力通過壓力管道進入次沉淀轉化工藝單元。

4.根據權利要求1所述的一種水中硫酸鹽去除的工藝，其特征在于：碳酸根離子和銨根離子的補入物料是富含二氧化碳氣體和氨水。

5.根據權利要求1所述的一種水中硫酸鹽去除的工藝，其特征在于：碳酸根離子的補入物料為含有高濃度二氧化碳的燃燒廢氣，銨根離子的補入物料是氨水。