[發明專利]一種射頻功率放大器、輸入匹配電路及級間匹配電路

在審

• 申請號: 202211217755.8
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115664347A
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 盧益鋒;莫曉輝;萬亮;孫希國;王文平
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/26;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 李艾華;潘國慶

1.一種射頻功率放大器的輸入匹配電路，其特征在于，包括第一隔直電容、第一電感和第一減抗電阻；所述第一隔直電容設置在射頻輸入信號與第一功率晶體管之間；所述第一電感和第一減抗電阻相串聯且設置在第一偏置電壓與第一功率晶體管之間；還包括與所述第一減抗電阻并聯的第一均衡電容，以補償第一功率晶體管的增益滾降效應。

2.根據權利要求1所述的輸入匹配電路，其特征在于，所述第一減抗電阻與所述第一均衡電容的關聯關系如下：

f01＝1/(2*π*R1*C1)

其中，f01表示輸入匹配電路的轉折頻率；π表示圓周率；R1表示第一減抗電阻；C1表示第一均衡電容。

3.根據權利要求2所述的輸入匹配電路，其特征在于，所述輸入匹配電路的轉折頻率設置為射頻功率放大器工作頻帶范圍內的中心頻率。

4.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括如權利要求1～3中任意一項所述的輸入匹配電路和第一功率晶體管。

5.一種射頻功率放大器的級間匹配電路，其特征在于，包括第二隔直電容、第二電感和第二減抗電阻；所述第二隔直電容設置在第一功率晶體管與第二功率晶體管之間；所述第二電感和第二減抗電阻相串聯且設置在第二偏置電壓與第二功率晶體管之間；還包括與所述第二減抗電阻并聯的第二均衡電容，以補償第二功率晶體管的增益滾降效應。

6.根據權利要求5所述的級間匹配電路，其特征在于，所述第二減抗電阻與所述第二均衡電容的關聯關系如下：

f02＝1/(2*π*R2*C2)

其中，f02表示級間匹配電路的轉折頻率；π表示圓周率；R2表示第二減抗電阻；C2表示第二均衡電容。

7.根據權利要求6所述的級間匹配電路，其特征在于，所述級間匹配電路的轉折頻率設置為射頻功率放大器工作頻帶范圍內的中心頻率。

8.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括如權利要求4～7中任意一項所述的級間匹配電路、第一功率晶體管和第二功率晶體管。

9.一種射頻功率放大器，包括輸入匹配電路和級間匹配電路，其特征在于，輸入匹配電路包括第一隔直電容、第一電感和第一減抗電阻；所述第一隔直電容設置在射頻輸入信號與第一功率晶體管之間；所述第一電感和第一減抗電阻相串聯且設置在第一偏置電壓與第一功率晶體管之間；所述級間匹配電路包括第二隔直電容、第二電感和第二減抗電阻；所述第二隔直電容設置在第一功率晶體管與第二功率晶體管之間；所述第二電感和第二減抗電阻相串聯且設置在第二偏置電壓與第二功率晶體管之間；還包括與所述第一減抗電阻并聯的第一均衡電容，以及，與所述第二減抗電阻并聯的第二均衡電容，以實現增益均衡。

10.根據權利要求9所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一減抗電阻與所述第一均衡電容的關聯關系如下：

f01＝1/(2*π*R1*C1)

其中，f01表示輸入匹配電路的轉折頻率；π表示圓周率；R1表示第一減抗電阻；C1表示第一均衡電容；

所述第二減抗電阻與所述第二均衡電容的關聯關系如下：

f02＝1/(2*π*R2*C2)

其中，f02表示級間匹配電路的轉折頻率；π表示圓周率；R2表示第二減抗電阻；C2表示第二均衡電容。