[發明專利]多超導材料層的制備方法及量子器件

在審

• 申請號: 202211215561.4
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115458674A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 高然;鄧純青
• 申請（專利權）人: 阿里巴巴達摩院（杭州）科技有限公司
• 主分類號: H01L39/24
• 分類號: H01L39/24;H01L39/12;H01L39/22;G06N10/40
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產權代理有限責任公司 11134
• 代理人: 曾紅芳

1.一種多超導材料層的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上沉積由第一目標區域范圍的第一硬掩膜覆蓋所述第一目標區域范圍的第一超導材料的第一超導材料層；

在沉積有所述第一超導材料層的所述襯底上沉積第二超導材料；

將第二硬掩膜覆蓋在所述第二超導材料上；

對所述第二硬掩膜和所述第二超導材料進行刻蝕處理，得到由第二目標區域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標區域范圍的第二超導材料的第二超導材料層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上沉積由第一目標區域范圍的第一硬掩膜覆蓋所述第一目標區域范圍的第一超導材料的第一超導材料層，包括：

在所述襯底上沉積所述第一超導材料；

將所述第一硬掩膜覆蓋在所述第一超導材料上；

確定所述第一超導材料要留在所述襯底上的所述第一目標區域范圍；

分別逐步刻蝕掉所述第一硬掩膜中第一其它區域范圍的第一硬掩膜，以及所述第一超導材料中所述第一其它區域的超導材料，得到由所述第一目標區域范圍的第一硬掩膜覆蓋所述第一目標區域范圍的第一超導材料的所述第一超導材料層，其中，所述第一其它區域范圍為所述襯底上除所述第一目標區域范圍之外的區域范圍。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述第二硬掩膜和所述第二超導材料進行刻蝕處理，得到由第二目標區域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標區域范圍的第二超導材料的第二超導材料層，包括：

分別逐步刻蝕掉所述第二硬掩膜中第二其它區域的第二硬掩膜，以及所述第二超導材料中所述第二其它區域的超導材料，得到第二超導材料層，其中，所述第二其它區域范圍為所述襯底上除所述第二目標區域范圍之外的區域范圍，所述第二超導材料層是由所述第二目標區域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標區域范圍的第二超導材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述第二硬掩膜和所述第二超導材料進行刻蝕處理，得到由第二目標區域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標區域范圍的第二超導材料的第二超導材料層之后，還包括：

刻蝕掉所述第一超導材料層上的第一硬掩膜以及所述第二超導材料層上的第二硬掩膜，得到在所述襯底上的第一目標超導器件。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉所述第一超導材料層上的第一硬掩膜以及所述第二超導材料層上的第二硬掩膜，得到在所述襯底上的第一目標超導器件，包括：

采用氫氟酸DHF溶液刻蝕掉所述第一超導材料層上的第一硬掩膜以及所述第二超導材料層上的第二硬掩膜，得到在所述襯底上的第一目標超導器件。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述第二硬掩膜和所述第二超導材料進行刻蝕處理，得到由第二目標區域范圍的第二硬掩膜覆蓋所述第二目標區域范圍的第二超導材料的第二超導材料層之后，還包括：

在所述第一超導材料層上，以及第一其它區域范圍上沉積第三超導材料，其中，所述第一其它區域范圍為所述襯底上除所述第一目標區域范圍之外的區域范圍；

將氮化物作為第三硬掩膜覆蓋在所述第三超導材料上；

確定所述第三超導材料要留在所述襯底上的第三目標區域范圍；

對所述第三硬掩膜和所述第三超導材料進行刻蝕處理，得到由第三目標區域范圍的第三硬掩膜覆蓋所述第三目標區域范圍的第三超導材料的第三超導材料層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第三硬掩膜和所述第三超導材料進行刻蝕處理，得到由第三目標區域范圍的第三硬掩膜覆蓋所述第三目標區域范圍的第三超導材料的第三超導材料層，包括：

分別逐步刻蝕掉所述第三硬掩膜中第三其它區域的第三硬掩膜，以及所述第三超導材料中所述第三其它區域的超導材料，得到由所述第三目標區域范圍的第三硬掩膜覆蓋所述第三目標區域范圍的第三超導材料的第三超導材料層，其中，所述第三其它區域范圍為所述襯底上除所述第三目標區域范圍之外的區域范圍。