[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 202211211170.5
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN115981102A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 古閑法久;巖田和也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明涉及基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。使利用了適用于EUV光刻的抗蝕材料的基板在曝光處理時的感光度面內均勻。基板處理裝置具備：基板支承部；光源；具有照度計的測量部；遮蔽部，其能夠在始終遮擋照射光的向旋轉中心照射的部分的第1狀態與作為該第1狀態以外的狀態的第2狀態之間轉換；和控制部，控制部執行：第1控制，在將遮蔽部設為第2狀態的狀態下，控制光源，以僅對局部的區域照射照射光；第2控制，基于由照度計測量到的照射光的照度，判斷旋轉中心處的曝光量是否超過了規定的閾值；第3控制，在判斷為旋轉中心處的曝光量超過了閾值的情況下，使遮蔽部轉換為第1狀態；以及第4控制，控制光源，以繼續對基板照射照射光。

技術領域

本公開涉及基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種輔助曝光裝置，該輔助曝光裝置通過對形成于基板上的抗蝕膜獨立于曝光處理地照射紫外線，從而謀求抗蝕圖案的膜壓、線寬的精度、或者面內均勻性的提高。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-186191號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠使利用了適用于EUV光刻的抗蝕材料的基板在曝光處理時的感光度面內均勻的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一技術方案為一種基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具備：基板支承部，其構成為能夠一邊使形成有EUV光刻用抗蝕材料的抗蝕膜的基板旋轉一邊對該基板進行支承；光源，其照射包含真空紫外光的照射光；閘門，其在照射光的光路上與該光路以外的區域之間移動，從而在照射光到達基板的狀態與未到達基板的狀態之間切換；透光板，其使照射光透過；遮光板，其僅開口部分使照射光穿過，從而限制到達基板的照射光的照射范圍；以及遮蔽部，其能夠配置在遮擋向被基板支承部支承并旋轉的基板的旋轉中心照射的照射光的位置，照射光向基板的表面的局部的區域且是在半徑方向上連續的區域照射。

發明的效果

根據本發明，提供一種能夠使利用了適用于EUV光刻的抗蝕材料的基板在曝光處理時的感光度面內均勻的技術。

附圖說明

圖1是表示一個例示性的實施方式的基板處理裝置的圖。

圖2是說明遮光板的圖。

圖3是說明遮光板的開口部分的圖。

圖4是說明照度計的配置的圖。

圖5是例示控制器的硬件結構的框圖。

圖6是表示工件的每個區域的劑量的圖表。

圖7是說明蓋部的動作的圖。

圖8是說明基板處理方法的一個例子的流程圖。

圖9是說明VUV光的照射的動作順序的圖。

圖10是說明變形例的遮蔽部的圖。

圖11是說明變形例的光照射機構的圖。

圖12是說明變形例的光照射機構的圖。

圖13是說明變形例的光照射機構的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細地說明實施方式。在說明中，對相同要素或具有相同功能的要素標注相同的附圖標記，并省略重復的說明。

[基板處理裝置的結構]