[發(fā)明專利]一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211199336.6
• 申請日: 2022-09-29
• 公開（公告）號: CN115763264A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳先明;楊洋;馮進(jìn)東;黃本霞;陳建堅(jiān);鄭軍樹;張治軍
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 葉恩華

本申請公開了一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法，制備方法包括：對導(dǎo)體基板進(jìn)行蝕刻，得到半成品基板；半成品基板包括第一導(dǎo)通區(qū)域、孤立導(dǎo)通區(qū)域、連接位以及口框區(qū)域；連接位用于連接第一導(dǎo)通區(qū)域以及孤立導(dǎo)通區(qū)域；在半成品基板的下表面貼合粘性臨時(shí)載板；在口框區(qū)域貼裝嵌埋器件；在半成品基板的上表面壓合第一介質(zhì)層并去除粘性臨時(shí)載板；在下表面壓合第二介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層上制作第一導(dǎo)通孔以及第一金屬種子層，以及在第二介質(zhì)層上制作第二導(dǎo)通孔以及第二金屬種子層；去除連接位；在第一金屬種子層上制作第一線路層以及第一孤立線路層，以及在第二金屬種子層上制作第二線路層以及第二孤立線路層。本申請可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)方案中，最常見的分3種類型：一是CCL起始，機(jī)械或鐳射方式制備口框；二是coreless流程，使用銅柱為蝕刻通道制備口框；三是采用金屬材料(一般是銅)，通過蝕刻，機(jī)械方式制備口框。

現(xiàn)有技術(shù)中，CCL方案厚度不好控制，受制于CCL來料厚度，同時(shí)使用機(jī)械鑼或者鐳射方式效率很慢，不利于批量生產(chǎn)，成品散熱性不佳；coreless流程復(fù)雜，成品高，同時(shí)由于主要材料是有機(jī)料，整體機(jī)械強(qiáng)度比較小，某些需要高強(qiáng)度的產(chǎn)品無法勝任，同時(shí)散熱性也不佳；金屬材料蝕刻方式，一般采用雙面同時(shí)蝕刻方案，當(dāng)單元內(nèi)有孤立上下層導(dǎo)通設(shè)計(jì)時(shí)，在蝕刻時(shí)孤立上下導(dǎo)通層會脫落，進(jìn)而影響整體設(shè)計(jì)，而機(jī)械方式制備口框效率低，成本高。因此，亟需一種新的嵌埋器件封裝基板制作方法。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的在于至少一定程度上解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

為此，本申請實(shí)施例的一個(gè)目的在于提供一種嵌埋器件封裝基板制作方法及半導(dǎo)體，該方法可以提高基板的生產(chǎn)效率和降低成本。

為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本申請實(shí)施例所采取的技術(shù)方案包括：對導(dǎo)體基板進(jìn)行蝕刻，得到半成品基板；所述半成品基板包括第一導(dǎo)通區(qū)域、孤立導(dǎo)通區(qū)域、連接位以及口框區(qū)域；所述連接位用于連接所述第一導(dǎo)通區(qū)域以及所述孤立導(dǎo)通區(qū)域；在所述半成品基板的下表面貼合粘性臨時(shí)載板；在所述口框區(qū)域貼裝嵌埋器件；在所述半成品基板的上表面壓合第一介質(zhì)層并去除所述粘性臨時(shí)載板；在所述下表面壓合第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上制作第一導(dǎo)通孔以及第一金屬種子層，以及在所述第二介質(zhì)層上制作第二導(dǎo)通孔以及第二金屬種子層；去除所述連接位；在所述第一金屬種子層上制作第一線路層以及第一孤立線路層，以及在第二金屬種子層上制作第二線路層以及第二孤立線路層。

另外，根據(jù)本發(fā)明中上述實(shí)施例的一種嵌埋器件封裝基板制作方法，還可以有以下附加的技術(shù)特征：

進(jìn)一步地，本申請實(shí)施例中，所述對導(dǎo)體基板進(jìn)行蝕刻，得到半成品基板這一步驟，具體包括：在所述導(dǎo)體基板的上表面以及下表面貼干膜；對所述干膜進(jìn)行曝光顯影，得到待蝕刻區(qū)域；對所述待蝕刻區(qū)域進(jìn)行蝕刻，得到半成品基板。

進(jìn)一步地，本申請實(shí)施例中，所述導(dǎo)體基板包括：銅基板、鋁基板或者鐵基板。

進(jìn)一步地，本申請實(shí)施例中，所述粘性臨時(shí)載板包括：PP、ABF和PID中的一種或者多種材料組合。

進(jìn)一步地，本申請實(shí)施例中，所述在所述第一金屬種子層上制作第一線路層以及第一孤立線路層，以及在第二金屬種子層上制作第二線路層以及第二孤立線路層這一步驟，具體包括：對所述第一金屬種子層以及所述第二金屬種子層進(jìn)行蝕刻工藝，得到第一子線路層、第一孤立線路層、第二孤立線路層以及第二子線路層；在所述第一子線路層以及所述第一孤立線路層上壓合第三介質(zhì)層以及在所述第二孤立線路層以及所述第二子線路層上壓合第四介質(zhì)層；在所述第三介質(zhì)層上制作第三導(dǎo)通孔以及第三金屬種子層，以及在所述第四介質(zhì)層上制作第四導(dǎo)通孔以及第四金屬種子層；對所述第三金屬種子層以及所述第四金屬種子層進(jìn)行蝕刻工藝，得到第三子線路層以及第四子線路層；在所述第三子線路層以及第四子線路層上覆蓋阻焊層。