[發明專利]一種旋光晶體透過率測量裝置及測量方法

在審

• 申請號: 202211192550.9
• 申請日: 2022-09-28
• 公開（公告）號: CN115575356A
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: 劉城名;朱玲琳;曾愛軍;黃惠杰
• 申請（專利權）人: 上海鐳望光學科技有限公司
• 主分類號: G01N21/59
• 分類號: G01N21/59;G01N21/01
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 秦翠翠

1.一種旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，包括：單色器、退偏器、可控旋光器件、光電探測器和控制器；

所述單色器、退偏器、可控旋光器件和光電探測器沿光束傳播方向依次設置，其中，所述單色器靠近光源一側；

所述單色器、可控旋光器件和光電探測器分別與所述控制器通訊連接；

待測旋光晶體置于所述退偏器和可控旋光器件之間的光路中，所述待測旋光晶體對入射的不完全退偏光束改變其偏振態，所述可控旋光器件用于旋轉所述偏振態；

所述控制器控制所述單色器產生預設波長的單色光，所述單色光經過所述退偏器后不完全退偏地照射至待測旋光晶體，所述待測旋光晶體對入射的不完全退偏光束改變其偏振態，所述控制器控制所述可控旋光器件旋轉所述偏振態，并同步控制所述光電探測器在其采樣周期內對經偏振態旋轉的光束進行采樣以獲得測量光束，其中，在所述光電探測器的采樣周期內，所述控制器控制所述可控旋光器件旋轉所述偏振態的旋轉角度為90°的N倍，N為大于等于1的正整數；

所述控制器根據經過待測旋光晶體的測量光束和未經過待測旋光晶體的參考光束獲得待測旋光晶體的透過率。

2.如權利要求1所述的旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，所述可控旋光器件為磁光調制器。

3.如權利要求2所述的旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，所述磁光調制器的控制電壓根據所述單色器產生的單色光的預設波長以及所述磁光調制器在所述光電探測器的采樣周期內旋轉所述偏振態的所述旋轉角度而確定，使得所述磁光調制器根據所述控制電壓在所述采樣周期內將所述偏振態旋轉N次。

4.如權利要求3所述的旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，所述控制器內預先設置有所述單色器、磁光調制器和光電探測器的參數配置列表，所述參數配置列表內設有：光電探測器的采樣周期、單色器產生的單色光的預設波長、及在所述采樣周期下，與所述預設波長對應設置的磁光調制器的控制電壓。

5.如權利要求4所述的旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，所述參數配置列表內預先設置多種不同的預設波長，且每一種預設波長對應設置多個不同的控制電壓。

6.如權利要求3所述的旋光晶體透過率測量裝置，其特征在于，所述磁光調制器旋轉所述偏振態的旋轉角速度大于所述光電探測器的采樣速度。

7.一種利用如權利要求1-6任一項所述的旋光晶體透過率測量裝置測量旋光晶體透過率的測量方法，其特征在于，包括步驟：

將待測旋光晶體置于退偏器和可控旋光器件之間的光路中；

控制光源發射光束，控制單色器產生預設波長的單色光，所述單色光經過所述退偏器后不完全退偏地照射至待測旋光晶體，所述待測旋光晶體對入射的不完全退偏光束改變其偏振態；

控制所述可控旋光器件旋轉所述偏振態，并同步控制所述光電探測器在其采樣周期內對經偏振態旋轉的光束進行采樣以獲得測量光束；

根據經過待測旋光晶體的測量光束和未經過待測旋光晶體的參考光束獲得待測旋光晶體的透過率。

8.如權利要求7所述的測量方法，其特征在于，在所述光電探測器的采樣周期內，控制所述可控旋光器件旋轉所述偏振態的旋轉角度為90°的N倍，N為大于等于1的正整數，使得所述可控旋光器件在所述采樣周期內將所述偏振態旋轉N次。

9.如權利要求8所述的測量方法，其特征在于，所述可控旋光器件為磁光調制器，還包括根據所述單色器產生的單色光的預設波長以及所述磁光調制器在所述光電探測器的采樣周期內旋轉所述偏振態的所述旋轉角度確定所述磁光調制器的控制電壓的步驟，使得所述磁光調制器根據所述控制電壓在所述采樣周期內將所述偏振態旋轉N次。

10.如權利要求9所述的測量方法，其特征在于，還包括預先設置單色器、磁光調制器和光電探測器的參數配置列表的步驟，所述參數配置列表內設有：光電探測器的采樣周期、單色器產生的單色光的預設波長、及在所述采樣周期下，與所述預設波長對應設置的磁光調制器的控制電壓。