[發(fā)明專利]器件芯片的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211189890.6 | 申請日: | 2022-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN115954325A | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 小川雄輝;渡部晃司;橋本一輝;青柳元 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
1.一種器件芯片的制造方法,將被加工物分割而制造器件芯片,該被加工物在正面?zhèn)染哂袠?gòu)成器件的層疊體,該器件設置于由多條交叉的分割預定線劃分的多個區(qū)域,其特征在于,
該器件芯片的制造方法包含如下的步驟:
加工槽形成步驟,從該被加工物的正面?zhèn)妊刂摲指铑A定線照射對于該層疊體具有吸收性的波長的激光束,沿著該分割預定線形成將該層疊體斷開的加工槽;
樹脂層形成步驟,在該加工槽形成步驟之后,在該被加工物的正面?zhèn)刃纬蓸渲瑢樱灰约?/p>
分割步驟,在該樹脂層形成步驟之后,沿著該分割預定線將該被加工物和該樹脂層分割。
2.一種器件芯片的制造方法,將被加工物分割而制造器件芯片,該被加工物在正面?zhèn)染哂袠?gòu)成器件的層疊體,該器件設置于由多條交叉的分割預定線劃分的多個區(qū)域,其特征在于,
該器件芯片的制造方法包含如下的步驟:
加工槽形成步驟,從該被加工物的正面?zhèn)妊刂摲指铑A定線照射對于該層疊體具有吸收性的波長的激光束,沿著該分割預定線形成將該層疊體斷開的加工槽;
支承部件固定步驟,在該加工槽形成步驟之后,在該被加工物的正面?zhèn)裙潭ㄖС胁考?/p>
背面磨削步驟,在該支承部件固定步驟之后,對該被加工物的背面?zhèn)冗M行磨削;
支承部件去除步驟,在該背面磨削步驟之后,將該支承部件從該被加工物的正面?zhèn)热コ?/p>
樹脂層形成步驟,在該支承部件去除步驟之后,在該被加工物的正面?zhèn)刃纬蓸渲瑢樱灰约?/p>
分割步驟,在該樹脂層形成步驟之后,沿著該分割預定線將該被加工物和該樹脂層分割。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
該器件芯片的制造方法還包含如下的背面圖案形成步驟:在該背面磨削步驟之后,在該被加工物的背面?zhèn)刃纬蓤D案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
該器件芯片的制造方法還包含如下的保護膜形成步驟:在該加工槽形成步驟之前,在該被加工物的正面?zhèn)刃纬杀Wo膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
該器件芯片的制造方法還包含如下的等離子蝕刻步驟:在該加工槽形成步驟之后,從該被加工物的正面?zhèn)忍峁┑入x子狀態(tài)的蝕刻氣體而將殘留于該被加工物或該層疊體的加工應變或異物去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在該分割步驟中,利用切削刀具沿著該分割預定線將該被加工物和該樹脂層切斷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
該器件芯片的制造方法還包含如下的擴展片粘貼步驟:在該分割步驟之前,將具有伸長性的擴展片粘貼于該被加工物,
該分割步驟包含如下的步驟:
改質(zhì)層形成步驟,將對于該被加工物具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該被加工物的內(nèi)部而照射該激光束,由此在該被加工物中沿著該分割預定線形成改質(zhì)層;以及
擴展步驟,在該改質(zhì)層形成步驟之后,對該擴展片進行擴展。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





