[發明專利]半導體模塊、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202211189281.0
• 申請日: 2022-09-28
• 公開（公告）號: CN116093052A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 佐藤忠彥;加藤遼一;村田悠馬
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/52;H01L23/64;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 權圣;包躍華

1.一種半導體模塊，其特征在于，包括：

絕緣片，其在第一方向上延伸；以及

第一端子，其具有第一區域、第二區域以及第三區域，所述第一區域配置在所述絕緣片的第一面，并且在俯視時在與所述第一方向正交的第二方向上具有第一寬度，所述第二區域從所述第一區域延伸，并且在俯視時在所述第二方向上具有比所述第一寬度窄的第二寬度，所述第三區域與所述第一面分離并且與所述第一區域和所述第二區域電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

在與所述第一面垂直且遠離所述第一面的第三方向上，所述第一區域的與所述絕緣片相反一側的面位于比所述第三區域的所述絕緣片側的面更靠近所述絕緣片的位置。

3.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第三區域被配置為在俯視時與所述第一區域重疊。

4.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第三區域在俯視時配置在所述第一區域的外側。

5.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一區域具有寬幅部和窄幅部，所述寬幅部在所述第二方向上具有所述第一寬度，所述窄幅部從所述寬幅部沿所述第一方向延伸且在所述第二方向上具有比所述第一寬度窄的第三寬度，

所述第二區域從所述寬幅部的所述第一方向側的邊緣部延伸，

所述第三區域從所述第二區域沿所述第一方向延伸。

6.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一區域具有寬幅部和窄幅部，所述寬幅部在所述第二方向上具有所述第一寬度，所述窄幅部從所述寬幅部沿所述第一方向延伸且在所述第二方向上具有比所述第一寬度窄的第三寬度，

所述第二區域從所述窄幅部的所述第二方向側的邊緣部延伸，

所述第三區域從所述第二區域沿所述第二方向延伸。

7.根據權利要求5或6所述的半導體模塊，其特征在于，

所述窄幅部配置在所述寬幅部的所述第二方向上的端部。

8.根據權利要求5或6所述的半導體模塊，其特征在于，

所述窄幅部配置在比所述寬幅部的所述第二方向上的端部靠內側的位置。

9.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述半導體模塊具備第二端子，所述第二端子配置在所述絕緣片的與所述第一面相反一側的第二面。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

權利要求1至9中任一項所述的所述半導體模塊；以及

連接部件，其與所述第三區域焊接。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述連接部件與所述第三區域的所述絕緣片側的面焊接。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述連接部件具有焊接部和貫通部，所述焊接部與所述第三區域的所述絕緣片側的面焊接，所述貫通部供所述第二區域貫通。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具備電容器，所述電容器具有與所述連接部件連接的第三端子。