[發明專利]一種氮化鎵晶圓及其減薄方法在審
| 申請號： | 202211188317.3 | 申請日： | 2022-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN115488757A | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發明（設計）人： | 張林;羅曉菊 | 申請（專利權）人： | 鎵特半導體科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/10 | 分類號： | B24B37/10;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 銅陵市嘉同知識產權代理事務所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吳晨亮 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區自由貿*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 鎵晶圓 及其 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵晶圓減薄方法，其特征是：包括以下步驟：提供一氮化鎵晶圓；使用研磨機進行研磨，Ga面第一次減薄150μm -200μm，N面第一次減薄200μm-250μm，Ga面第二次減薄100μm -150μm，N面第二次減薄100μm-150μm。
2.如權利要求1所述的氮化鎵晶圓減薄方法，其特征是：所述研磨機載盤轉速為200rpm，砂輪轉速為1450 rpm，所述砂輪的尺寸是400目。
3.如權利要求1所述的氮化鎵晶圓減薄方法，其特征是：所述氮化鎵晶圓平均厚度為1000um，TTV為150μm-170μm。
4.如權利要求1所述的氮化鎵晶圓減薄方法，其特征是：所述氮化鎵晶圓為HVPE生長出的。
5.氮化鎵晶圓，其特征是：采用如權利要求1-4任一所述的氮化鎵晶圓減薄方法制成。
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