[發(fā)明專利]覆銅層壓膜和包括其的電子器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211188141.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-09-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116021848A | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樸鐘容;李河樹;千鐘勳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東麗尖端素材株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | B32B27/28 | 分類號(hào)： | B32B27/28;B32B33/00;B32B27/06;B32B15/00;B32B15/08;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/08;B32B27/32;B32B27/30;B32B15/20;H05K1/03;H05K1/09;H05K3/02 |
| 代理公司： | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 劉強(qiáng) |
| 地址： | 韓國(guó)慶*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 層壓 包括 電子器件 | ||
公開一種覆銅層壓膜和包括其的電子器件。所述覆銅層壓膜包括：聚酰亞胺基材，其中在至少一個(gè)表面上設(shè)置有氟層；連接(tie)層，其設(shè)置在其上設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材上；以及銅層，其設(shè)置在所述連接層上，其中，所述連接層包括選自元素周期表的第4族、第6族、第13族和第14族金屬元素中的至少一種，所述金屬元素的金屬?氧(M?O)鍵解離能(M?O?bond?dissociation?energy)為大于或等于400kJ/mol。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2021年10月26日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2021-0144004的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其通過引用合并于此用于所有目的，如同在此完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
涉及一種覆銅層壓膜和包括其的電子器件。
背景技術(shù)
覆銅層壓膜是基材與導(dǎo)電銅箔的層疊體。隨著電子器件的小型化和輕量化的趨勢(shì)，覆銅層壓膜的使用量也一起增加。最近第五代(5G；5th?Generation)移動(dòng)通信設(shè)備的發(fā)展使得GHz頻段的信號(hào)傳輸速度變得越來越普及。需要根據(jù)這種信號(hào)的高頻化趨勢(shì)來改善用于印刷電路或天線元件的基材的介電特性并降低熱膨脹特性。同時(shí)，覆銅層壓膜需要在不影響電路圖案蝕刻性能的情況下，在酸和/或堿環(huán)境中具有優(yōu)異的耐化學(xué)性。因此，仍然需要在高頻下具有低熱膨脹系數(shù)、低介電常數(shù)、低介電損耗和低傳輸損耗并同時(shí)具有優(yōu)異的耐蝕刻性和耐化學(xué)性的覆銅層壓膜，以及包括其的電子器件。
發(fā)明內(nèi)容
一方面提供一種覆銅層壓膜，其在高頻下具有低熱膨脹系數(shù)、低介電常數(shù)、低介電損耗和低傳輸損耗并同時(shí)具有優(yōu)異的耐蝕刻性和耐化學(xué)性。
另一方面提供一種電子器件，其包括所述覆銅層壓膜。
根據(jù)一方面，提供一種覆銅層壓膜，其包括：
聚酰亞胺基材，其中在至少一個(gè)表面上設(shè)置有氟層；
連接(tie)層，其設(shè)置在其上設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材上；以及
銅層，其設(shè)置在所述連接層上，
其中，所述連接層包括選自元素周期表的第4族、第6族、第13族和第14族金屬元素中的至少一種，
所述金屬元素的金屬-氧(M-O)鍵解離能(M-O?bond?dissociation?energy)為大于或等于400kJ/mol。
所述金屬元素可包括選自W、Ti、Sn、Cr、Al和Mo中的至少一種。
所述金屬元素還可包括Ni，并且所述Ni的含量可小于或等于50重量％。
設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材的厚度可為約25μm至約100μm。
基于設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材的厚度100％，所述氟層的厚度可為小于或等于50％。
設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材的表面的氟含量可為約60原子％至約75原子％。
設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材的表面能可為約11dyne/cm至約19dyne/cm。
設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材在20GHz的頻率下可具有小于或等于2.8的介電常數(shù)(Dk)和小于或等于0.003的介電損耗(Df)。
設(shè)置有氟層的所述聚酰亞胺基材的熱膨脹系數(shù)可為小于或等于25ppm/℃。
根據(jù)另一方面，
提供一種電子器件，其包括上述的覆銅層壓膜。
所述電子器件可包括天線器件或天線電纜。
附圖說明
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