[發明專利]含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202211181519.5
• 申請日: 2022-09-27
• 公開（公告）號: CN115612989A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 陸樟棟
• 申請（專利權）人: 蘇州輝鉆納米新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/22;C23C14/35;C23C14/54;H05F3/00
• 代理公司: 上海復暨知識產權代理事務所(普通合伙) 31449
• 代理人: 林鵬

1.含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于，含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料通過PVD彎管磁過濾電弧技術搭配六甲基二硅氧烷的氣體混合技術制備而得；

其中，含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料的原材料來源于固態的圓形石墨靶，以及六甲基二硅氧烷(HMDSO:C6H18OSi2)氣體；

所述PVD彎管磁過濾電弧技術用于避免鍍膜時鍍膜工件的表面形成液滴，使得液滴影響工件表面的光潔度，保證材料本身阻抗值的穩定性；

所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料包括以下按照原子百分比的原料：碳元素80-88at％、硅元素10-15at％、氧元素2-7at％。

2.如權利要求1所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料包括以下按照原子百分比的原料：碳元素82-86at％、硅元素11-13at％、氧元素3-5at％。

3.如權利要求2所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料包括以下按照原子百分比的原料：碳元素84at％、硅元素12at％、氧元素4at％。

4.如權利要求3所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料添加有硅和氧兩種不同的元素，為高階的含碳、硅、氧的多元薄膜復合材料，同時具有多種復合結構。

5.如權利要求1所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料的結構包括：

四面體類金剛石；

無定形硅氧(a-Si：O)結構，其中，所述四面體類金剛石與無定形硅氧(a-Si：O)結構結合為高階的含碳、硅、氧的多元薄膜復合材料。

6.如權利要求5所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料的可控表面阻抗值為10⁵-10⁹omhs，同時并且在溫度范圍-50℃到350℃之間阻抗值穩定。

7.如權利要求6所述的含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料，其特征在于：所述含硅含氧的高階靜電消散薄膜復合新材料的納米硬度為3500HV-4000HV，摩擦系數為0.1-0.25，抗粘連表面能為28-36mN/m，其表面粗糙度為Ra0.2-0.3。