[發(fā)明專利]一種二維硅的制備方法及應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211174080.3 | 申請日： | 2022-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN115403046B | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馮金奎;滿泉言 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產(chǎn)權代理有限公司 37221 | 代理人： | 鄭平 |
| 地址： | 250061 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二維 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維硅的制備方法，其特征在于，包括：
將硅鈣合金粉末在氮氣氛圍中進行熱處理，得到反應產(chǎn)物；
將所述反應產(chǎn)物在稀鹽酸溶液中浸泡，反應完全后，抽濾、收集固體物質，干燥，即得；
所述熱處理的條件為溫度700-900℃，時間5-20?h；
所述稀鹽酸溶液的濃度為5-15?wt?%；所述氮氣的流速為0.5~1.0?L/min?；
所述硅鈣合金粉末的化學式為CaSi2；
二維硅具有晶體結構。
2.如權利要求1所述的二維硅的制備方法，其特征在于，所述反應產(chǎn)物與稀鹽酸的質量體積比為1?g：80?ml~120ml。
3.如權利要求1所述的二維硅的制備方法，其特征在于，所述干燥為真空干燥，所述真空干燥的具體條件是，溫度80~100℃，時間8~12h，真空度0.2~0.5Pa。
4.如權利要求1所述的二維硅的制備方法，其特征在于，采用LiSi2替代CaSi2作為原料。
5.權利要求1-4任一項所述的方法制備的二維硅。
6.權利要求5所述的二維硅在制備二次電池中的應用。
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