[發明專利]一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法

在審

• 申請號: 202211136362.4
• 申請日: 2022-09-19
• 公開（公告）號: CN115386918A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 趙卓;徐亮;張楷;張曉峰;周曉偉;田勇攀;夏定武;祝若鑫
• 申請（專利權）人: 安徽工業大學
• 主分類號: C25C3/34
• 分類號: C25C3/34
• 代理公司: 安徽知問律師事務所 34134
• 代理人: 金貝貝

1.一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：采用ITO廢靶作為陰極，石墨作為陽極，在低共熔溶劑體系中進行直流電解，使ITO廢靶中的氧原子得到電子形成氧離子進入電解質而從陰極上脫除，直接獲得銦錫合金產品。

2.根據權利要求1所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：所述的陰極為ITO廢靶塊料，無需研磨成粉末。

3.根據權利要求1所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：所述的低共熔溶劑體系組成為氯化膽堿-尿素或氯化膽堿-硫脲或尿素-硫脲或氯化膽堿-乙二醇或尿素-乙二醇或硫脲-乙二醇二元共晶體系。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：具體工藝操作為：

S1、配制二元共晶低共熔溶劑體系：將原料混合均勻后進行加熱，得到液態低共熔溶劑體系，同時對體系進行機械攪拌，使之充分混合均勻；

S2、將兩個石墨電極同時插入配制好的低共熔溶劑體系中，通入直流電進行恒壓預電解，使體系中的雜質離子在陰極石墨上沉積析出；

S3、低共熔溶劑體系經預電解凈化后，取出陰極石墨，同時向體系中插入ITO廢靶，并以之作為陰極進行直流電解，在電場作用下使ITO廢靶中的氧原子得到電子形成氧離子進入電解質而從陰極上脫除，直接獲得銦錫合金；

S4、將陰極收集得到的銦錫合金進行洗滌、干燥，進一步熔鑄成錠，得到銦錫合金產品。

5.根據權利要求4所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：步驟S1中的加熱溫度為45-95℃，機械攪拌速度為300-500rpm。

6.根據權利要求4所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：步驟S2中預電解的電壓為1.8-2.3V，時間為1.0-3.0h。

7.根據權利要求4所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：步驟S3中直流電解槽電壓為1.5-2.5V，電解液溫度為45-95℃，時間為12-48h。

8.根據權利要求4所述的一種低共熔溶劑體系中ITO廢靶直接電解制備銦錫合金的方法，其特征在于：步驟S4中陰極收集得到銦錫合金的干燥溫度為30-80℃，時間為24-72h，銦錠熔鑄溫度為200-400℃。