[發明專利]顯示設備

在審

• 申請號: 202211129460.5
• 申請日: 2022-09-16
• 公開（公告）號: CN115835707A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 車明根;全珠姬;崔相虔
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/122
• 分類號: H10K59/122;H10K59/123;H10K59/126;H10K59/131;H10K59/124
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

一種用于顯示高分辨率圖像并且具有低的由電壓降引起的缺陷的發生率的顯示設備。顯示設備包括：基底；第一導電層，布置在基底上，并且包括在第一方向上延伸的輔助數據線；第一半導體層，布置在第一導電層上；第一柵極層，布置在第一半導體層上；第一連接電極層，布置在第一柵極層上，并且包括電連接到第一半導體層和輔助數據線的第一連接電極；以及第二連接電極層，布置在第一連接電極層上，并且包括電連接到第一連接電極的數據線。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年9月17日提交的第10-2021-0125209號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請出于所有目的通過引用并入本文，就像在本文中完整闡述的那樣。

技術領域

本發明的實施例總體上涉及一種顯示設備，并且更具體地，涉及一種其中顯示高分辨率圖像且由電壓降引起的多種類型的缺陷的發生率低的顯示設備。

背景技術

通常，在諸如有機發光顯示設備的顯示設備中，多個薄膜晶體管分別布置在多個(子)像素中以控制每個(子)像素的亮度等。這種薄膜晶體管被配置為響應于傳輸的數據信號來控制對應的(子)像素的亮度等。

然而，在現有的顯示設備中，在將數據信號等傳輸到薄膜晶體管的同時施加到薄膜晶體管的電壓可能下降。

本背景技術部分中公開的上述信息僅用于理解本發明構思的背景，并且因此，它可能包含不構成現有技術的信息。

發明內容

本發明的實施例提供一種顯示設備，在該顯示設備中，顯示高分辨率圖像且由電壓降引起的缺陷的發生率低。

本發明的附加特征將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過本發明的呈現的實施例的實踐而獲知。

本發明的實施例提供了一種顯示設備，包括：基底；第一導電層，布置在所述基底上，并且包括在第一方向上延伸的輔助數據線；第一半導體層，布置在所述第一導電層上；第一柵極層，布置在所述第一半導體層上；第一連接電極層，布置在所述第一柵極層上，并且包括電連接到所述第一半導體層和所述輔助數據線的第一連接電極；以及第二連接電極層，布置在所述第一連接電極層上，并且包括電連接到所述第一連接電極的數據線。

所述顯示設備可以進一步包括平坦化層，所述平坦化層布置在所述第一連接電極層和所述第二連接電極層之間，并且所述數據線可以通過所述平坦化層中的接觸孔連接到包括在所述第一連接電極層中的所述第一連接電極。

所述顯示設備可以進一步包括：第一層間絕緣層，布置在所述第一導電層和所述第一半導體層之間；第一柵極絕緣層，布置在所述第一半導體層和所述第一柵極層之間；第二層間絕緣層，配置為覆蓋所述第一柵極層；第二導電層，布置在所述第二層間絕緣層上；第三層間絕緣層，配置為覆蓋所述第二導電層；第二半導體層，布置在所述第三層間絕緣層上；第二柵極絕緣層，配置為覆蓋所述第二半導體層；第二柵極層，布置在所述第二柵極絕緣層上；第四層間絕緣層，配置為覆蓋所述第二柵極層；以及平坦化層，布置在所述第一連接電極層和所述第二連接電極層之間，其中，所述第一連接電極層布置在所述第四層間絕緣層上。

所述第一連接電極可以通過所述第一柵極絕緣層、所述第二層間絕緣層、所述第三層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第四層間絕緣層中的接觸孔連接到所述第一半導體層。

所述第一連接電極可以通過所述第一層間絕緣層、所述第一柵極絕緣層、所述第二層間絕緣層、所述第三層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第四層間絕緣層中的接觸孔連接到所述輔助數據線。

可以將與傳輸到所述數據線的電信號相同的電信號傳輸到所述輔助數據線。

所述數據線可以在所述第一方向上延伸。

所述輔助數據線的一些部分的寬度可以與所述輔助數據線的其他部分的寬度不同。