[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法、存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211124454.0
• 申請(qǐng)日: 2022-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115472623A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳林春;李思晢;孔翠翠;張坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有橫向表面；

在所述襯底一側(cè)于相對(duì)所述橫向表面的縱向上形成堆疊層，所述堆疊層包括由犧牲層和層間絕緣層交替堆疊的第一堆疊結(jié)構(gòu)、以及由停止層和間隔層交替堆疊的底堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊層包括核心區(qū)以及臺(tái)階區(qū)，所述停止層包括第一停止層和第二停止層，所述第二停止層位于所述第一停止層上；

在所述堆疊層的所述核心區(qū)形成縱向延伸的溝道孔；

在所述溝道孔的側(cè)壁內(nèi)對(duì)所述第一停止層和所述第二停止層進(jìn)行氧化處理，其中，對(duì)所述第一停止層進(jìn)行氧化處理的氧化速率大于所述第二停止層進(jìn)行氧化處理的氧化速率。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述溝道孔的側(cè)壁內(nèi)對(duì)所述第一停止層和所述第二停止層進(jìn)行氧化處理的步驟，還包括：

在所述溝道孔的側(cè)壁內(nèi)對(duì)應(yīng)于所述第一停止層和所述第二停止層的第一部位與第二部位分別形成第一凸起結(jié)構(gòu)和第二凸起結(jié)構(gòu)，所述第二凸起結(jié)構(gòu)在所述橫向上的長(zhǎng)度小于所述第一凸起結(jié)構(gòu)在所述橫向上的長(zhǎng)度。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底一側(cè)于相對(duì)所述橫向表面的縱向上形成堆疊層的步驟，還包括：

對(duì)所述第一停止層進(jìn)行磷摻雜；

對(duì)所述第二停止層進(jìn)行碳摻雜。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底一側(cè)于相對(duì)所述橫向表面的縱向上形成堆疊層的步驟，還包括：

采用氨氣對(duì)所述第二停止層進(jìn)行表面處理。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一凸起結(jié)構(gòu)在所述溝道孔內(nèi)的凸起部分在所述縱向上形成縫隙，所述半導(dǎo)體器件的制備方法，還包括：

在所述溝道孔內(nèi)形成存儲(chǔ)功能層，所述存儲(chǔ)功能層附著于所述溝道孔整個(gè)內(nèi)壁，且完全填充所述縫隙；

在所述第一凸起結(jié)構(gòu)以上的所述溝道孔內(nèi)依次形成溝道層和絕緣層。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一凸起結(jié)構(gòu)在所述溝道孔內(nèi)的凸起部分在所述縱向上不形成有縫隙，所述半導(dǎo)體器件的制備方法，還包括：

在所述第一凸起結(jié)構(gòu)以上的所述溝道孔內(nèi)依次形成存儲(chǔ)功能層、溝道層和絕緣層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制備方法，還包括：

在所述臺(tái)階區(qū)形成縱向貫穿所述堆疊層的偽溝道孔；

在所述偽溝道孔的側(cè)壁內(nèi)對(duì)所述第一停止層進(jìn)行氧化處理，并在所述偽溝道孔底部的側(cè)壁與所述第一停止層對(duì)應(yīng)的部位形成第三凸起結(jié)構(gòu)；

對(duì)形成有所述第三凸起結(jié)構(gòu)的所述偽溝道孔進(jìn)行填充處理，以形成偽溝道結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第三凸起結(jié)構(gòu)在所述偽溝道孔內(nèi)的凸起部分在所述縱向上不形成有縫隙。

9.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制備方法，還包括：

形成縱向貫穿所述堆疊層的柵線隔離結(jié)構(gòu)；

在所述臺(tái)階區(qū)形成縱向貫穿所述底堆疊結(jié)構(gòu)的觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)；

去除所述襯底以及所述襯底和所述第二停止層之間的底堆疊結(jié)構(gòu)，并露出所述溝道層的底面；

在所述溝道層的底面與所述第二停止層上形成源區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述在所述溝道層的底面與所述第二停止層上形成源區(qū)的步驟之后，所述半導(dǎo)體器件的制備方法，還包括：

在所述源區(qū)的底面形成絕緣結(jié)構(gòu)，并在所述絕緣結(jié)構(gòu)的底面形成分別與所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)、所述源區(qū)連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。