[發(fā)明專利]一種隧穿型憶阻器及其制備方法和應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211115756.1 | 申請日： | 2022-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN115589772A | 公開（公告）日： | 2023-01-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 葛軍;馬澤霖;陳莞君;曹栩誠;刁山青;林浩;劉志宇;潘書生 | 申請（專利權）人： | 廣州大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 廣州高炬知識產(chǎn)權代理有限公司 44376 | 代理人： | 劉志敏 |
| 地址： | 510006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 隧穿型憶阻器 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種隧穿型憶阻器，其特征在于，自上至下依次由頂電極、滲流層、隧穿層和底電極組成，其中，所述滲流層為活性金屬摻雜的氧化硅層。
2.根據(jù)權利要求1所述的隧穿型憶阻器，其特征在于，所述活性金屬為Ag、Cu、Ni、Ta、Ti中的一種或以上。
3.根據(jù)權利要求1所述的隧穿型憶阻器，其特征在于，所述滲流層中所述活性金屬的摻量不小于所述活性金屬的滲流臨界含量。
4.根據(jù)權利要求1所述的隧穿型憶阻器，其特征在于，所述滲流層的厚度在70-150nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種隧穿型憶阻器，其特征在于，所述隧穿層為SiOx、AlOx或TiOx；其中，x的取值在0.5-1.5之間。
6.根據(jù)權利要求1所述的隧穿型憶阻器，其特征在于，所述隧穿層的厚度在3.5-4.5nm。
7.根據(jù)權利要求1所述的隧穿型憶阻器，其特征在于，所述頂電極為惰性金屬。
8.根據(jù)權利要求1-7之一所述的隧穿型憶阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在所述底電極上形成所述隧穿層；
(2)通過反應共濺射方法在所述隧穿層上沉積形成所述滲流層；
(3)通過熱蒸發(fā)方法將頂電極材料沉積在所述滲流層上，制得。
9.根據(jù)權利要求1-7之一所述的隧穿型憶阻器，在信息存儲器件或神經(jīng)形態(tài)計算硬件上的應用。
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