[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202211115639.5
• 申請日: 2022-09-14
• 公開（公告）號: CN115810536A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 樸煥悅;樸世浚;趙俊衡;景世振;公大為;金泰珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/225
• 分類號: H01L21/225;H10B12/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;肖學蕊

1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

制備包括單元區和劃道區的襯底；

在所述襯底的所述單元區中形成電路塊，所述襯底包括第一表面和第二表面；

在所述襯底的所述第一表面上形成偏壓焊盤，使得所述偏壓焊盤在所述襯底的所述劃道區中；

將氘交換結構鍵合至所述襯底的所述第二表面；

利用等離子體處理將氘植入到所述氘交換結構中；以及

將第一電壓施加至所述偏壓焊盤，使得所述氘通過所述襯底的所述第二表面從所述氘交換結構擴散至所述襯底中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氘交換結構由多孔金屬板和所述多孔金屬板上的氫離子交換膜形成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述多孔金屬板由多孔鈀板形成。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述氫離子交換膜由全氟化合物形成。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，將所述氘交換結構鍵合至所述襯底的所述第二表面的步驟包括：利用熱壓工藝，使得所述氫離子交換膜附著到所述襯底的所述第二表面。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在所述氘從所述氘交換結構擴散至所述襯底中之后，從所述襯底的所述第二表面去除所述氘交換結構。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在將所述氘交換結構鍵合至所述襯底的所述第二表面之前，

將離子交換結構鍵合至所述襯底的所述第二表面；

將第二電壓施加至所述偏壓焊盤，使得雜質從所述襯底的所述第二表面擴散至所述離子交換結構中；以及

從所述襯底去除所述離子交換結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述離子交換結構由以下組件形成：

包括第一區和第二區的金屬板；

所述金屬板的所述第一區上的陽離子交換膜；以及

所述金屬板的所述第二區上的陰離子交換膜。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述陽離子交換膜包括具有陰離子固定電荷的聚合物，并且所述陰離子交換膜包括具有陽離子固定電荷的聚合物。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述陰離子固定電荷包括SO₃^-、COO^-、PO₃^2-、PO₃H^-和C₆H₄O^-中的至少一種，并且所述陽離子固定電荷包括NH₃⁺、NRH₂⁺、NR₃H⁺、NR³⁺和PR³⁺中的至少一種，其中R是烴。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第一電壓施加至所述偏壓焊盤以使所述氘擴散至所述襯底中的步驟包括：將第一氘含量擴散至所述襯底中，使得所述第一氘含量在垂直于所述襯底的所述第一表面的第一方向上具有從所述襯底的所述第二表面至所述襯底的所述第一表面逐漸減小的分布。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述偏壓焊盤的步驟包括：在所述劃道區中形成與所述襯底的所述第一表面直接接觸的所述偏壓焊盤。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述偏壓焊盤的步驟包括：

在所述劃道區中在所述襯底的所述第一表面上形成絕緣層，使得所述絕緣層具有第一厚度；以及

在所述絕緣層上形成所述偏壓焊盤，使得所述絕緣層在所述偏壓焊盤與所述襯底的所述第一表面之間。